一种GPP芯片的制作工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810958908.1

申请日：

2018-08-22

公开(公告)号：

CN109087857A

公开(公告)日：

2018-12-25

发明(设计)人：

崔丹丹王毅裘立强

申请人：

申请人地址：

225008 江苏省扬州市邗江区维扬经济开发区创业园中路26号

IPC主分类号：

H01L21329

IPC分类号：

代理机构：

扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283

代理人：

周全;葛军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/329 申请日:20180822
2018-12-25	公开	公开
2022-06-17	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/329 申请公布日:20181225

共 50 条

[1]

一种GPP芯片制作工艺 [P].

郝长清 ;

贾健 ;

陈宏胤 .

中国专利 :CN119486155A ,2025-02-18

[2]

一种取代GPP工艺的新型芯片制作工艺 [P].

汪良恩 ;

安启跃 .

中国专利 :CN111640707A ,2020-09-08

[3]

一种GPP芯片电泳法制作工艺 [P].

张波 ;

宋委 .

中国专利 :CN106653600A ,2017-05-10

[4]

一种控制GPP芯片玻璃沿高度的制作工艺 [P].

徐长坡 ;

牛宝钢 ;

梁效峰 ;

王晓捧 ;

杨玉聪 .

中国专利 :CN104952742B ,2015-09-30

[5]

一种半导体GPP整流芯片的制作工艺 [P].

郭光辉 .

中国专利 :CN108461381A ,2018-08-28

[6]

一种加热芯片的制作工艺 [P].

罗仕波 .

中国专利 :CN111432506B ,2020-07-17

[7]

一种封装芯片制作工艺 [P].

朱双信 ;

唐家云 ;

冯增新 ;

聂童 .

中国专利 :CN115527874A ,2022-12-27

[8]

一种封装芯片制作工艺 [P].

朱双信 ;

唐家云 ;

冯增新 ;

聂童 .

中国专利 :CN115527874B ,2025-11-11

[9]

一种电池管理芯片的制作工艺 [P].

罗家仔 ;

罗成 .

中国专利 :CN113793969A ,2021-12-14

[10]

一种微电极芯片制作工艺 [P].

李姗姗 ;

邢奔 ;

程娥 ;

李军委 .

中国专利 :CN110449194B ,2019-11-15

← 1 2 3 4 5 →