半导体存储器装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911356689.0

申请日：

2019-12-25

公开(公告)号：

CN111968685A

公开(公告)日：

2020-11-20

发明(设计)人：

李相宪许炫

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G11C502

IPC分类号：

G11C506 H01L2711565 H01L271157 H01L2711573 H01L2711582

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

刘久亮;黄纶伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 5/02 申请日:20191225
2020-11-20	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体存储器装置 [P].

李相宪 ;

许炫 .

韩国专利 :CN111968685B ,2024-01-09

[2]

半导体存储器设备 [P].

郑盛旭 .

韩国专利 :CN119521676A ,2025-02-25

[3]

半导体存储器设备 [P].

李昌永 ;

朴荣奭 ;

俞昌植 ;

尹炫喆 ;

任政燉 ;

郑尚勋 .

韩国专利 :CN120264748A ,2025-07-04

[4]

半导体存储器装置 [P].

李昌永 ;

朴荣奭 ;

俞昌植 ;

尹炫喆 ;

任政燉 .

韩国专利 :CN120071980A ,2025-05-30

[5]

半导体存储器装置 [P].

金镇浩 ;

金映奇 ;

成象铉 ;

吴星来 ;

田炳现 .

韩国专利 :CN113224026B ,2024-09-27

[6]

半导体存储器装置 [P].

林相吾 .

中国专利 :CN108074600A ,2018-05-25

[7]

半导体存储器装置 [P].

崔亨进 ;

黄盛炫 .

韩国专利 :CN113948120B ,2025-09-26

[8]

半导体存储器装置 [P].

崔康植 .

韩国专利 :CN119342827A ,2025-01-21

[9]

半导体存储器装置 [P].

朴建熹 .

韩国专利 :CN120417372A ,2025-08-01

[10]

半导体存储器装置 [P].

崔亨进 ;

黄盛炫 .

中国专利 :CN113948120A ,2022-01-18

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