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半导体存储器装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201911356689.0
申请日
:
2019-12-25
公开(公告)号
:
CN111968685B
公开(公告)日
:
2024-01-09
发明(设计)人
:
李相宪
许炫
申请人
:
爱思开海力士有限公司
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
G11C5/02
IPC分类号
:
G11C5/06
H10B43/10
H10B43/35
H10B43/40
H10B43/27
代理机构
:
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
:
刘久亮;黄纶伟
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-01-09
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体存储器装置
[P].
李相宪
论文数:
0
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0
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0
李相宪
;
许炫
论文数:
0
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0
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0
许炫
.
中国专利
:CN111968685A
,2020-11-20
[2]
半导体存储器设备
[P].
郑盛旭
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
郑盛旭
.
韩国专利
:CN119521676A
,2025-02-25
[3]
半导体存储器设备
[P].
李昌永
论文数:
0
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0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李昌永
;
朴荣奭
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0
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
朴荣奭
;
俞昌植
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
俞昌植
;
尹炫喆
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0
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
尹炫喆
;
任政燉
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
任政燉
;
郑尚勋
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0
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0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
郑尚勋
.
韩国专利
:CN120264748A
,2025-07-04
[4]
半导体存储器装置
[P].
李昌永
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李昌永
;
朴荣奭
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
朴荣奭
;
俞昌植
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
俞昌植
;
尹炫喆
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
尹炫喆
;
任政燉
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
任政燉
.
韩国专利
:CN120071980A
,2025-05-30
[5]
半导体存储器装置
[P].
金镇浩
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0
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0
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
金镇浩
;
金映奇
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
金映奇
;
成象铉
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
成象铉
;
吴星来
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
吴星来
;
田炳现
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
田炳现
.
韩国专利
:CN113224026B
,2024-09-27
[6]
半导体存储器装置
[P].
林相吾
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0
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林相吾
.
中国专利
:CN108074600A
,2018-05-25
[7]
半导体存储器装置
[P].
崔亨进
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
崔亨进
;
黄盛炫
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
黄盛炫
.
韩国专利
:CN113948120B
,2025-09-26
[8]
半导体存储器装置
[P].
崔康植
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
崔康植
.
韩国专利
:CN119342827A
,2025-01-21
[9]
半导体存储器装置
[P].
朴建熹
论文数:
0
引用数:
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
朴建熹
.
韩国专利
:CN120417372A
,2025-08-01
[10]
半导体存储器装置
[P].
崔亨进
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0
崔亨进
;
黄盛炫
论文数:
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0
黄盛炫
.
中国专利
:CN113948120A
,2022-01-18
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