半导体存储器装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411445913.4
申请日
2020-07-22
公开(公告)号
CN119342827A
公开(公告)日
2025-01-21
发明(设计)人
崔康植
申请人
爱思开海力士有限公司
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H10B43/20
IPC分类号
H10B43/30 H01L23/538 H01L21/768
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
刘久亮;黄纶伟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体存储器装置 [P]. 
林相吾 .
中国专利 :CN108074600A ,2018-05-25
[2]
半导体存储器装置 [P]. 
李相宪 ;
许炫 .
韩国专利 :CN111968685B ,2024-01-09
[3]
半导体存储器装置 [P]. 
李相宪 ;
许炫 .
中国专利 :CN111968685A ,2020-11-20
[4]
半导体存储器装置 [P]. 
崔康植 .
韩国专利 :CN119342829A ,2025-01-21
[5]
半导体存储器装置 [P]. 
崔康植 .
韩国专利 :CN119342828A ,2025-01-21
[6]
半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
李相范 .
中国专利 :CN113160867A ,2021-07-23
[7]
半导体存储器装置和半导体存储器装置的操作方法 [P]. 
朴贤圭 .
中国专利 :CN113517017A ,2021-10-19
[8]
半导体存储器装置以及操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
李宗勋 .
中国专利 :CN113689894A ,2021-11-23
[9]
半导体存储器装置和该半导体存储器装置的制造方法 [P]. 
崔康植 .
中国专利 :CN112786566A ,2021-05-11
[10]
半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
崔亨进 .
韩国专利 :CN114067886B ,2025-09-26