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半导体存储器设备
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410515130.2
申请日
:
2024-04-26
公开(公告)号
:
CN119521676A
公开(公告)日
:
2025-02-25
发明(设计)人
:
郑盛旭
申请人
:
爱思开海力士有限公司
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
H10B43/35
IPC分类号
:
H10B43/20
H10B63/10
H10B63/00
H10B51/20
H10B51/30
H10B53/20
H10B53/30
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
李兴斌;李春辉
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-02-25
公开
公开
2025-03-14
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10B 43/35申请日:20240426
共 50 条
[1]
半导体存储器设备
[P].
李昌永
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李昌永
;
朴荣奭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
朴荣奭
;
俞昌植
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
俞昌植
;
尹炫喆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
尹炫喆
;
任政燉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
任政燉
;
郑尚勋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
郑尚勋
.
韩国专利
:CN120264748A
,2025-07-04
[2]
半导体存储器设备
[P].
郑凤吉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郑凤吉
.
中国专利
:CN114067900A
,2022-02-18
[3]
半导体存储器设备
[P].
朴楢珍
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
朴楢珍
;
李南宰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
李南宰
;
崔殷硕
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
崔殷硕
.
韩国专利
:CN120857507A
,2025-10-28
[4]
半导体存储器设备
[P].
李熙烈
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李熙烈
.
中国专利
:CN115565582A
,2023-01-03
[5]
半导体存储器装置
[P].
李相宪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
李相宪
;
许炫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
许炫
.
韩国专利
:CN111968685B
,2024-01-09
[6]
半导体存储器装置
[P].
李相宪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李相宪
;
许炫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
许炫
.
中国专利
:CN111968685A
,2020-11-20
[7]
半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法
[P].
金在雄
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
金在雄
.
韩国专利
:CN113470714B
,2024-01-30
[8]
半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法
[P].
郑载烨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郑载烨
;
黄盛炫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
黄盛炫
.
中国专利
:CN114822636A
,2022-07-29
[9]
半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法
[P].
金在雄
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
金在雄
.
中国专利
:CN113470714A
,2021-10-01
[10]
半导体存储器
[P].
土屋智裕
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
土屋智裕
.
中国专利
:CN1136583C
,1999-11-17
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