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一种碳化硅MOSFET器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011022081.7
申请日：
2020-09-25
公开(公告)号：
CN111933715A
公开(公告)日：
2020-11-13
发明(设计)人：
邓小川 侯子婕 李旭 朱浩 孙燕 李轩 张波
申请人：
申请人地址：
611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2906
代理机构：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232
代理人：
敖欢
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-11-13 公开 公开
2020-12-01 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200925
共 50 条
[1]
碳化硅MOSFET器件 [P]. 
袁俊 .
中国专利 :CN217468442U ,2022-09-20
[2]
一种碳化硅MOSFET器件 [P]. 
郝建勇 ;
孙军 ;
张振中 ;
和巍巍 .
中国专利 :CN212517214U ,2021-02-09
[3]
碳化硅MOSFET器件 [P]. 
卓廷厚 ;
李钊君 ;
刘延聪 .
中国专利 :CN209766429U ,2019-12-10
[4]
碳化硅MOSFET器件 [P]. 
杨明超 ;
杨毅 ;
耿莉 .
中国专利 :CN120857570A ,2025-10-28
[5]
碳化硅MOSFET器件 [P]. 
袁俊 .
中国专利 :CN217114399U ,2022-08-02
[6]
MOSFET器件和碳化硅MOSFET器件 [P]. 
M·G·萨吉奥 ;
E·扎内蒂 .
中国专利 :CN210296383U ,2020-04-10
[7]
一种碳化硅MOSFET器件 [P]. 
俎永熙 ;
张代中 ;
胡佳贤 .
中国专利 :CN119364821A ,2025-01-24
[8]
一种碳化硅MOSFET器件 [P]. 
林信南 ;
石黎梦 .
中国专利 :CN109742146A ,2019-05-10
[9]
一种碳化硅MOSFET器件 [P]. 
王亚男 ;
王正 ;
王毅 .
中国专利 :CN223666687U ,2025-12-12
[10]
一种碳化硅MOSFET器件 [P]. 
宫志伟 ;
闻永祥 ;
马新刚 .
中国专利 :CN222547916U ,2025-02-28
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