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光刻胶处理方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201711323254.7
申请日
:
2017-12-12
公开(公告)号
:
CN108107673A
公开(公告)日
:
2018-06-01
发明(设计)人
:
不公告发明人
申请人
:
申请人地址
:
518000 广东省深圳市宝安区福永街道和平社区骏丰工业区A3栋一楼
IPC主分类号
:
G03F700
IPC分类号
:
G03F716
G03F720
代理机构
:
深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419
代理人
:
曹明兰
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-06-01
公开
公开
2021-11-02
发明专利申请公布后的撤回
发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):G03F 7/00 申请公布日:20180601
2018-06-26
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/00 申请日:20171212
共 50 条
[1]
光刻胶剥离方法
[P].
孟祥国
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孟祥国
;
陆连
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陆连
.
中国专利
:CN110854016A
,2020-02-28
[2]
光刻胶去除方法及光刻胶重制方法
[P].
邱靖尧
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邱靖尧
;
谢玟茜
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谢玟茜
;
刘立尧
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刘立尧
;
胡展源
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胡展源
.
中国专利
:CN110581065A
,2019-12-17
[3]
光刻胶及光刻方法
[P].
袁华
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袁华
;
黄永发
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黄永发
;
杨尚勇
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杨尚勇
;
胡展源
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胡展源
.
中国专利
:CN110501873A
,2019-11-26
[4]
光刻胶和光刻胶图形的优化方法
[P].
林益世
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林益世
;
黄宜斌
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黄宜斌
.
中国专利
:CN102262357A
,2011-11-30
[5]
光刻胶回吸装置、光刻胶涂布设备及光刻胶涂布方法
[P].
金在植
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金在植
;
张成根
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张成根
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林锺吉
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林锺吉
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贺晓彬
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贺晓彬
;
杨涛
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杨涛
;
李俊峰
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李俊峰
;
王文武
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王文武
.
中国专利
:CN114054287A
,2022-02-18
[6]
光刻胶涂布方法
[P].
林锺吉
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
林锺吉
;
金在植
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
金在植
;
张成根
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
张成根
;
金成昱
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中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
金成昱
;
梁贤石
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
梁贤石
;
贺晓彬
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
贺晓彬
;
刘强
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中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
刘强
;
杨涛
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中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
杨涛
;
李俊峰
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
李俊峰
;
王文武
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
王文武
.
中国专利
:CN114967346B
,2025-05-16
[7]
光刻胶显影方法
[P].
刘希仕
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
刘希仕
;
王绪根
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王绪根
;
朱联合
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
朱联合
;
姚振海
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
姚振海
.
中国专利
:CN118189552A
,2024-06-14
[8]
光刻胶涂布方法
[P].
栾会倩
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栾会倩
;
吴长明
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吴长明
;
姚振海
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姚振海
.
中国专利
:CN113204172A
,2021-08-03
[9]
光刻胶去除方法
[P].
萧忠仁
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萧忠仁
;
陈雅萍
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陈雅萍
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林建宏
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林建宏
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刘文斌
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刘文斌
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陈志文
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陈志文
.
中国专利
:CN110716399A
,2020-01-21
[10]
光刻胶的硅化方法及形成光刻胶掩模图形的方法
[P].
崔彰日
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崔彰日
;
李冬
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李冬
.
中国专利
:CN101458460A
,2009-06-17
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