提高氮化铝材料晶体质量的外延生长方法及氮化铝材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010103574.7

申请日：

2020-02-20

公开(公告)号：

CN113279054A

公开(公告)日：

2021-08-20

发明(设计)人：

孙钱黄应南刘建勋孙秀建詹晓宁高宏伟杨辉

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

C30B2504

IPC分类号：

C30B2518 C30B2938 C23C1634 C23C1644 C23C1604

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王茹;王锋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/04 申请日:20200220
2021-08-20	公开	公开

共 50 条

[1]

一种外延生长氮化铝的方法、氮化铝材料及应用 [P].

徐俞 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN111199870A ,2020-05-26

[2]

一种氮化铝材料加工的氮化铝炉体 [P].

范国峰 ;

赵丽丽 .

中国专利 :CN221444811U ,2024-07-30

[3]

生长氮化铝晶体的方法、制造氮化铝晶体的方法和氮化铝晶体 [P].

谷崎圭祐 ;

水原奈保 ;

宫永伦正 ;

中幡英章 ;

山本喜之 .

中国专利 :CN101842524A ,2010-09-22

[4]

一种利用温度调制提高氮化铝薄膜晶体质量的生长方法 [P].

李亮 ;

罗伟科 ;

李忠辉 .

中国专利 :CN104593861B ,2015-05-06

[5]

氮化铝薄膜及其远程外延生长方法 [P].

曹冰 ;

刘淼 ;

夏天 .

中国专利 :CN120738771A ,2025-10-03

[6]

单晶氮化铝材料及其制备方法 [P].

王新强 ;

袁冶 ;

刘上锋 ;

康俊杰 ;

罗巍 ;

李泰 ;

曹家康 .

中国专利 :CN117488408A ,2024-02-02

[7]

单晶氮化铝材料及其制备方法 [P].

王新强 ;

袁冶 ;

刘上锋 ;

康俊杰 ;

罗巍 ;

李泰 ;

曹家康 .

中国专利 :CN117488408B ,2024-05-10

[8]

超宽禁带氮化铝材料外延片及其制备方法 [P].

龙瀚凌 ;

王帅 ;

张毅 ;

戴江南 ;

陈长清 .

中国专利 :CN109599468A ,2019-04-09

[9]

提高外延生长氮化镓晶体质量的方法及其应用 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN114420532A ,2022-04-29

[10]

提高外延生长氮化镓晶体质量的方法及其应用 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN114420532B ,2025-04-25

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