提高外延生长氮化镓晶体质量的方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011171599.7

申请日：

2020-10-28

公开(公告)号：

CN114420532B

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

王国斌王建峰徐科

申请人：

江苏第三代半导体研究院有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

C30B25/16 C30B25/18 C30B28/14 C30B29/40

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

赵世发;王锋

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	授权	授权
2025-11-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移IPC(主分类):H01L 21/02登记生效日:20251027变更事项:专利权人变更前权利人:江苏第三代半导体研究院有限公司变更后权利人:江苏第三代半导体研究院有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室变更后权利人:215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室变更事项:专利权人变更后权利人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所变更事项:国家或地区变更后权利人:中国

共 50 条

[1]

提高外延生长氮化镓晶体质量的方法及其应用 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN114420532A ,2022-04-29

[2]

晶体质量可控的氮化镓薄膜外延生长方法 [P].

甘志银 ;

张荣军 ;

汪沛 ;

严晗 .

中国专利 :CN104347761B ,2015-02-11

[3]

用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底及氮化镓外延结构 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN213459739U ,2021-06-15

[4]

一种提高氮化镓晶体质量的制备方法 [P].

陈庆 ;

孙丽枝 .

中国专利 :CN105483828A ,2016-04-13

[5]

生长氮化镓晶体的方法 [P].

冈久拓司 ;

元木健作 ;

上松康二 ;

中畑成二 ;

弘田龙 ;

井尻英幸 ;

笠井仁 ;

藤田俊介 ;

佐藤史隆 ;

松冈彻 .

中国专利 :CN101086963A ,2007-12-12

[6]

生长氮化镓晶体的方法 [P].

弘田龙 ;

元木健作 ;

中畑成二 ;

冈久拓司 ;

上松康二 .

中国专利 :CN101144182A ,2008-03-19

[7]

提高氮化铝材料晶体质量的外延生长方法及氮化铝材料 [P].

孙钱 ;

黄应南 ;

刘建勋 ;

孙秀建 ;

詹晓宁 ;

高宏伟 ;

杨辉 .

中国专利 :CN113279054A ,2021-08-20

[8]

一种提高碳化硅衬底上氮化镓晶体质量的生长方法 [P].

李毓锋 ;

王成新 ;

郑军 ;

马光宇 .

中国专利 :CN120967503A ,2025-11-18

[9]

一种提高外延晶体质量的外延生长方法 [P].

商毅博 .

中国专利 :CN104485399B ,2015-04-01

[10]

同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料 [P].

蔡亚伟 ;

张育民 ;

夏嵩渊 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN114496749A ,2022-05-13

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