一种提高外延晶体质量的外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410720665.X

申请日：

2014-12-01

公开(公告)号：

CN104485399B

公开(公告)日：

2015-04-01

发明(设计)人：

商毅博

申请人：

申请人地址：

710100 陕西省西安市航天基地东长安街888号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

C30B2516 C30B2940 H01L3332

代理机构：

西安智邦专利商标代理有限公司 61211

代理人：

胡乐

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-22	授权	授权
2020-11-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20141201 授权公告日:20170222 终止日期:20191201
2015-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607580091 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:201410720665X 申请日:20141201
2015-04-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种提高LED外延晶体质量的外延生长方法 [P].

张宇 ;

苗振林 .

中国专利 :CN105405934A ,2016-03-16

[2]

一种提高LED外延晶体质量的外延生长方法 [P].

张宇 ;

苗振林 .

中国专利 :CN105350074A ,2016-02-24

[3]

一种提高LED外延晶体质量的外延生长方法 [P].

张宇 ;

苗振林 .

中国专利 :CN105261683B ,2016-01-20

[4]

一种提高材料晶体质量的外延生长方法 [P].

李淼 ;

陈起伟 ;

邓觉为 ;

游桥明 .

中国专利 :CN103498193B ,2014-01-08

[5]

一种提高LED亮度的双缓冲层横向外延生长方法 [P].

张璐 ;

商毅博 ;

于春丽 ;

邹丹 ;

李渝 .

中国专利 :CN104900774A ,2015-09-09

[6]

提高生长质量的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN109300855A ,2019-02-01

[7]

晶体质量可控的氮化镓薄膜外延生长方法 [P].

甘志银 ;

张荣军 ;

汪沛 ;

严晗 .

中国专利 :CN104347761B ,2015-02-11

[8]

一种高晶体质量AlN外延层的生长方法 [P].

许福军 ;

沈波 ;

秦志新 ;

王嘉铭 ;

张立胜 ;

何晨光 ;

杨志坚 .

中国专利 :CN104319234A ,2015-01-28

[9]

一种提高异质外延层晶体质量的方法 [P].

汤子康 ;

吴天准 ;

张权林 ;

王玉超 ;

苏龙兴 ;

陈明明 ;

祝渊 ;

桂许春 ;

项荣 .

中国专利 :CN103811354B ,2014-05-21

[10]

提高外延生长氮化镓晶体质量的方法及其应用 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN114420532A ,2022-04-29

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