一种提高材料晶体质量的外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310446032.X

申请日：

2013-09-26

公开(公告)号：

CN103498193B

公开(公告)日：

2014-01-08

发明(设计)人：

李淼陈起伟邓觉为游桥明

申请人：

申请人地址：

710100 陕西省西安市航天基地东长安街888号

IPC主分类号：

C30B2516

IPC分类号：

C30B2940 H01L3302 H01L3300

代理机构：

西安智邦专利商标代理有限公司 61211

代理人：

胡乐

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 25/16 申请日:20130926 授权公告日:20160518 终止日期:20200926
2014-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101570130082 IPC(主分类):C30B 25/16 专利申请号:201310446032X 申请日:20130926
2014-01-08	公开	公开
2016-05-18	授权	授权

共 50 条

[1]

一种提高外延晶体质量的外延生长方法 [P].

商毅博 .

中国专利 :CN104485399B ,2015-04-01

[2]

一种提高LED外延晶体质量的外延生长方法 [P].

张宇 ;

苗振林 .

中国专利 :CN105350074A ,2016-02-24

[3]

一种提高LED外延晶体质量的外延生长方法 [P].

张宇 ;

苗振林 .

中国专利 :CN105405934A ,2016-03-16

[4]

一种提高LED外延晶体质量的外延生长方法 [P].

张宇 ;

苗振林 .

中国专利 :CN105261683B ,2016-01-20

[5]

提高氮化铝材料晶体质量的外延生长方法及氮化铝材料 [P].

孙钱 ;

黄应南 ;

刘建勋 ;

孙秀建 ;

詹晓宁 ;

高宏伟 ;

杨辉 .

中国专利 :CN113279054A ,2021-08-20

[6]

一种高晶体质量AlN外延层的生长方法 [P].

许福军 ;

沈波 ;

秦志新 ;

王嘉铭 ;

张立胜 ;

何晨光 ;

杨志坚 .

中国专利 :CN104319234A ,2015-01-28

[7]

晶体质量可控的氮化镓薄膜外延生长方法 [P].

甘志银 ;

张荣军 ;

汪沛 ;

严晗 .

中国专利 :CN104347761B ,2015-02-11

[8]

提高生长质量的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN109300855A ,2019-02-01

[9]

提高外延生长氮化镓晶体质量的方法及其应用 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN114420532A ,2022-04-29

[10]

提高外延生长氮化镓晶体质量的方法及其应用 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN114420532B ,2025-04-25

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