提高外延生长氮化镓晶体质量的方法及其应用

被引：0

申请号：

CN202011171599.7

申请日：

2020-10-28

公开(公告)号：

CN114420532A

公开(公告)日：

2022-04-29

发明(设计)人：

王国斌王建峰徐科

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C30B2516 C30B2518 C30B2814 C30B2940

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

赵世发;王锋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-29	公开	公开
2022-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20201028

共 50 条

[1]

提高外延生长氮化镓晶体质量的方法及其应用 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN114420532B ,2025-04-25

[2]

晶体质量可控的氮化镓薄膜外延生长方法 [P].

甘志银 ;

张荣军 ;

汪沛 ;

严晗 .

中国专利 :CN104347761B ,2015-02-11

[3]

用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底及氮化镓外延结构 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN213459739U ,2021-06-15

[4]

一种提高氮化镓晶体质量的制备方法 [P].

陈庆 ;

孙丽枝 .

中国专利 :CN105483828A ,2016-04-13

[5]

生长氮化镓晶体的方法 [P].

冈久拓司 ;

元木健作 ;

上松康二 ;

中畑成二 ;

弘田龙 ;

井尻英幸 ;

笠井仁 ;

藤田俊介 ;

佐藤史隆 ;

松冈彻 .

中国专利 :CN101086963A ,2007-12-12

[6]

生长氮化镓晶体的方法 [P].

弘田龙 ;

元木健作 ;

中畑成二 ;

冈久拓司 ;

上松康二 .

中国专利 :CN101144182A ,2008-03-19

[7]

提高氮化铝材料晶体质量的外延生长方法及氮化铝材料 [P].

孙钱 ;

黄应南 ;

刘建勋 ;

孙秀建 ;

詹晓宁 ;

高宏伟 ;

杨辉 .

中国专利 :CN113279054A ,2021-08-20

[8]

一种提高碳化硅衬底上氮化镓晶体质量的生长方法 [P].

李毓锋 ;

王成新 ;

郑军 ;

马光宇 .

中国专利 :CN120967503A ,2025-11-18

[9]

一种提高外延晶体质量的外延生长方法 [P].

商毅博 .

中国专利 :CN104485399B ,2015-04-01

[10]

同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料 [P].

蔡亚伟 ;

张育民 ;

夏嵩渊 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN114496749A ,2022-05-13

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