一种提高LED外延晶体质量的外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510738081.X

申请日：

2015-11-03

公开(公告)号：

CN105261683B

公开(公告)日：

2016-01-20

发明(设计)人：

张宇苗振林

申请人：

申请人地址：

423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603

代理人：

于淼

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-10	授权	授权
2016-01-20	公开	公开
2016-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101646914928 IPC(主分类):H01L 33/12 专利申请号:201510738081X 申请日:20151103

共 50 条

[1]

一种提高LED外延晶体质量的外延生长方法 [P].

张宇 ;

苗振林 .

中国专利 :CN105405934A ,2016-03-16

[2]

一种提高LED外延晶体质量的外延生长方法 [P].

张宇 ;

苗振林 .

中国专利 :CN105350074A ,2016-02-24

[3]

一种提高外延晶体质量的外延生长方法 [P].

商毅博 .

中国专利 :CN104485399B ,2015-04-01

[4]

提高生长质量的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN109300855A ,2019-02-01

[5]

一种提高材料晶体质量的外延生长方法 [P].

李淼 ;

陈起伟 ;

邓觉为 ;

游桥明 .

中国专利 :CN103498193B ,2014-01-08

[6]

提高底部结晶质量的LED外延生长方法 [P].

朱耀强 ;

苗振林 ;

徐平 .

中国专利 :CN108767074A ,2018-11-06

[7]

晶体质量可控的氮化镓薄膜外延生长方法 [P].

甘志银 ;

张荣军 ;

汪沛 ;

严晗 .

中国专利 :CN104347761B ,2015-02-11

[8]

一种高晶体质量AlN外延层的生长方法 [P].

许福军 ;

沈波 ;

秦志新 ;

王嘉铭 ;

张立胜 ;

何晨光 ;

杨志坚 .

中国专利 :CN104319234A ,2015-01-28

[9]

一种提高LED亮度的外延生长方法 [P].

张宇 ;

苗振林 .

中国专利 :CN105206723A ,2015-12-30

[10]

提高外延生长氮化镓晶体质量的方法及其应用 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN114420532A ,2022-04-29

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