半绝缘半导体电阻率气控悬浮式探针电容探头

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720346960.2

申请日：

2017-04-01

公开(公告)号：

CN206649081U

公开(公告)日：

2017-11-17

发明(设计)人：

王昕苟永江冯小明

申请人：

申请人地址：

510650 广东省广州市天河区白沙水路123号东门三楼

IPC主分类号：

G01R2702

IPC分类号：

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

刘巧霞;裘晖

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-17	授权	授权

共 50 条

[41]

一种磷酸铁锂用半导体粉末电阻率测试仪 [P].

丁建民 .

中国专利 :CN217305327U ,2022-08-26

[42]

一种半导体材料电阻率和塞贝克系数的测量装置 [P].

樊希安 ;

荣振洲 ;

江程鹏 ;

张城诚 ;

李光强 .

中国专利 :CN205229306U ,2016-05-11

[43]

制造含高电阻率层的半导体结构的方法及相关半导体结构 [P].

I·拉杜 ;

E·德博内 .

中国专利 :CN107068571B ,2017-08-18

[44]

便携式测量硅材料电阻率的四针探头 [P].

李杰 ;

刘世伟 ;

于友 ;

石坚 .

中国专利 :CN206147009U ,2017-05-03

[45]

电阻率测定方法、半导体器件的制造方法、记录介质以及电阻率测定器 [P].

铁山千寻 .

日本专利 :CN114746990B ,2025-07-29

[46]

一种便携式半导体非接触电阻率测试仪探头及使用方法 [P].

李杰 ;

于友 ;

刘世伟 ;

石坚 .

中国专利 :CN106841805A ,2017-06-13

[47]

用于生产高电阻率半导体堆叠的方法及相关堆叠 [P].

埃马纽埃尔·奥根德雷 ;

克里斯汀·劳伦特 ;

夏伊·雷波 ;

埃里克·范德莫伦 .

法国专利 :CN120303764A ,2025-07-11

[48]

高电阻率宽禁带半导体材料本征光电导率测试方法及系统 [P].

黄维 ;

郑重 ;

韩伟伟 ;

孔海宽 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN111965510A ,2020-11-20

[49]

半导体电阻率和赛贝克系数的各向异性特征的评价方法 [P].

胡晓凯 ;

黄西林 ;

李雨时 ;

孙得柱 .

中国专利 :CN117471281A ,2024-01-30

[50]

测量半导体硅材料P/N型及电阻率的多功能测试仪 [P].

任林生 ;

李建帅 ;

曾勇 .

中国专利 :CN201096867Y ,2008-08-06

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