半绝缘半导体电阻率气控悬浮式探针电容探头

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720346960.2

申请日：

2017-04-01

公开(公告)号：

CN206649081U

公开(公告)日：

2017-11-17

发明(设计)人：

王昕苟永江冯小明

申请人：

申请人地址：

510650 广东省广州市天河区白沙水路123号东门三楼

IPC主分类号：

G01R2702

IPC分类号：

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

刘巧霞;裘晖

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-17	授权	授权

共 50 条

[21]

便携式半导体非接触电阻率测试仪 [P].

李杰 ;

刘世伟 ;

于友 ;

石坚 .

中国专利 :CN304200347S ,2017-07-11

[22]

一种液氮温度下的半导体电阻率测量装置 [P].

王昕 ;

叶灿明 ;

李俊生 ;

王世进 .

中国专利 :CN115575679A ,2023-01-06

[23]

一种液氮温度下的半导体电阻率测量装置 [P].

王昕 ;

叶灿明 ;

李俊生 ;

王世进 .

中国专利 :CN115575679B ,2025-11-14

[24]

一种便携式半导体非接触电阻率测试仪 [P].

李杰 ;

刘世伟 ;

于友 ;

石坚 .

中国专利 :CN206450758U ,2017-08-29

[25]

高电阻率半导体层中的富陷阱层 [P].

安东尼·K·史塔佩尔 ;

夫厚尔·杰恩 ;

J·J·派卡里克 ;

史蒂芬·M·宣克 ;

约翰·J·艾利斯-蒙纳翰 .

美国专利 :CN113363309B ,2024-08-16

[26]

高电阻率半导体层中的富陷阱层 [P].

安东尼·K·史塔佩尔 ;

夫厚尔·杰恩 ;

J·J·派卡里克 ;

史蒂芬·M·宣克 ;

约翰·J·艾利斯-蒙纳翰 .

中国专利 :CN113363309A ,2021-09-07

[27]

外延层电阻率的检测方法以及半导体结构 [P].

周津 .

中国专利 :CN120690700A ,2025-09-23

[28]

半导体硅片的电阻率测试方法及测试结构 [P].

许丹 .

中国专利 :CN102928669A ,2013-02-13

[29]

半导体-金属接触电阻率检测方法、阵列基板 [P].

李纪 ;

陈传宝 .

中国专利 :CN104407224A ,2015-03-11

[30]

一种半导体材料的电阻率测试方法 [P].

赵绍博 .

中国专利 :CN110873823A ,2020-03-10

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