一种光刻厚胶与金属基底结合力的改善方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911195081.4

申请日：

2019-11-28

公开(公告)号：

CN110928142A

公开(公告)日：

2020-03-27

发明(设计)人：

赵广宏张姗汪郁东刘春梅金小锋

申请人：

申请人地址：

100076 北京市丰台区北京市9200信箱74分箱

IPC主分类号：

G03F716

IPC分类号：

G03F7095 G03F7115

代理机构：

中国航天科技专利中心 11009

代理人：

徐晓艳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/16 申请日:20191128
2020-03-27	公开	公开

共 50 条

[1]

一种在金属基底表面形成强结合力涂层的方法与应用 [P].

李寅博 ;

解国新 ;

雒建斌 .

中国专利 :CN119158763A ,2024-12-20

[2]

高结合力的多层光刻胶的制备方法 [P].

殷岚勇 ;

施元军 ;

石磊 ;

张宜山 .

中国专利 :CN114141611A ,2022-03-04

[3]

一种提高光刻胶胶层与电铸金属层界面结合力的方法 [P].

魏相飞 ;

何锐 ;

张刚 ;

方杰 ;

张仲义 ;

陈传军 .

中国专利 :CN108751125A ,2018-11-06

[4]

改善表面结合力的方法 [P].

章国伟 ;

佟大明 ;

何智清 ;

李兵 ;

刘瑛 .

中国专利 :CN103367107B ,2013-10-23

[5]

一种提高铂膜与基底材料结合力的方法 [P].

吴松 ;

喻江 .

中国专利 :CN115216734B ,2024-01-26

[6]

一种改善凸块与底部结合力的方法、芯片结构 [P].

耿宝成 ;

刘月 ;

郑书豪 ;

王林 ;

魏小波 ;

姚维勇 .

中国专利 :CN120341123B ,2025-09-19

[7]

一种改善埋铜块溢胶与板材结合力的结构 [P].

关志锋 ;

闫明 ;

唐有军 .

中国专利 :CN215872002U ,2022-02-18

[8]

一种改善凸块与底部结合力的方法、芯片结构 [P].

耿宝成 ;

刘月 ;

郑书豪 ;

王林 ;

魏小波 ;

姚维勇 .

中国专利 :CN120341123A ,2025-07-18

[9]

一种提高磁控溅射工艺制备金属薄膜与基底结合力的方法 [P].

吕旭东 ;

王磊 ;

华志强 ;

李弢 ;

袁学韬 .

中国专利 :CN102465274A ,2012-05-23

[10]

一种改善玻璃基金属铟膜结合力的方法 [P].

汤惠淋 ;

宋世金 ;

朱刘 .

中国专利 :CN114635114A ,2022-06-17

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