一种氧化镓晶片精细研磨液及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010996340.X

申请日：

2020-09-21

公开(公告)号：

CN112322256A

公开(公告)日：

2021-02-05

发明(设计)人：

陈政委赵德刚范钦明

申请人：

申请人地址：

101300 北京市顺义区仁和镇顺强路一号一幢2号厂房二层西侧北部

IPC主分类号：

C09K314

IPC分类号：

代理机构：

北京维正专利代理有限公司 11508

代理人：

侯巍巍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 3/14 申请日:20200921
2021-12-28	授权	授权
2021-02-05	公开	公开
2021-05-14	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C09K 3/14 登记生效日:20210430 变更事项:申请人变更前权利人:北京镓族科技有限公司变更后权利人:北京铭镓半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:101300 北京市顺义区仁和镇顺强路一号一幢2号厂房二层西侧北部变更后权利人:101300 北京市顺义区顺强路1号1幢1层102室

共 50 条

[1]

氧化镓晶片抗解理悬浮研磨液及其制备方法 [P].

周海 ;

徐晓明 ;

龚凯 .

中国专利 :CN105273638A ,2016-01-27

[2]

用于氮化镓半导体晶片的研磨液及其制备方法 [P].

曹蕊 .

中国专利 :CN106244022A ,2016-12-21

[3]

一种晶片研磨液及其制备方法 [P].

毕洪伟 ;

周一 ;

刘留 ;

苏小平 ;

王春平 .

中国专利 :CN112080251B ,2020-12-15

[4]

氧化镓晶片抗解理抛光液及其制备方法 [P].

周海 ;

徐晓明 ;

龚凯 .

中国专利 :CN105153943B ,2015-12-16

[5]

一种易解理氧化镓晶片化学机械抛光工艺、抛光液及其制备方法 [P].

周海 ;

蒋网 ;

徐亚萌 ;

任相璞 ;

计健 .

中国专利 :CN114231182A ,2022-03-25

[6]

一种氧化镓MOSFET及其制备方法 [P].

王轶博 ;

韩根全 ;

贾晓乐 ;

黄舒琪 .

中国专利 :CN118213406A ,2024-06-18

[7]

一种氧化镓精细研磨筛分装置 [P].

蔡祗首 ;

刘欣 ;

郭辉 ;

杨涛 .

中国专利 :CN214864327U ,2021-11-26

[8]

一种氧化镓精细研磨筛分装置 [P].

庄文昌 ;

王汐璆 ;

堵锡华 .

中国专利 :CN110560218A ,2019-12-13

[9]

研磨液及其制备方法 [P].

石及时 ;

张璐 ;

何俊才 ;

吴友壮 ;

康新 .

中国专利 :CN109628064A ,2019-04-16

[10]

一种硅片保持环研磨液及其制备方法 [P].

姚力军 ;

惠宏业 ;

万旭军 ;

朱海青 .

中国专利 :CN116082961B ,2024-10-15

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