氧化镓晶片抗解理悬浮研磨液及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510658056.0

申请日：

2015-10-14

公开(公告)号：

CN105273638A

公开(公告)日：

2016-01-27

发明(设计)人：

周海徐晓明龚凯

申请人：

申请人地址：

224051 江苏省盐城市亭湖区希望大道中路1号

IPC主分类号：

C09G102

IPC分类号：

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司 32200

代理人：

杨海军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-27	公开	公开
2017-08-29	授权	授权
2016-02-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101647683427 IPC(主分类):C09G 1/02 专利申请号:2015106580560 申请日:20151014

共 50 条

[1]

氧化镓晶片抗解理抛光液及其制备方法 [P].

周海 ;

徐晓明 ;

龚凯 .

中国专利 :CN105153943B ,2015-12-16

[2]

一种氧化镓晶片精细研磨液及其制备方法 [P].

陈政委 ;

赵德刚 ;

范钦明 .

中国专利 :CN112322256A ,2021-02-05

[3]

一种易解理氧化镓晶片化学机械抛光工艺、抛光液及其制备方法 [P].

周海 ;

蒋网 ;

徐亚萌 ;

任相璞 ;

计健 .

中国专利 :CN114231182A ,2022-03-25

[4]

适用于硬脆易解理单晶氧化镓晶片的高效低损伤研磨方法 [P].

徐晓明 ;

周海 ;

黄传锦 ;

徐彤彤 ;

夏斯伟 ;

龚凯 .

中国专利 :CN106711032B ,2017-05-24

[5]

用于氮化镓半导体晶片的研磨液及其制备方法 [P].

曹蕊 .

中国专利 :CN106244022A ,2016-12-21

[6]

一种氧化镓晶片防解理的边缘磨削方法 [P].

张弛 ;

李晖 ;

霍晓青 ;

高飞 ;

王磊 ;

张胜男 ;

高鹏程 ;

王淳 ;

李响 .

中国专利 :CN114161258B ,2024-08-27

[7]

一种氧化镓晶片防解理的边缘磨削方法 [P].

张弛 ;

李晖 ;

霍晓青 ;

高飞 ;

王磊 ;

张胜男 ;

高鹏程 ;

王淳 ;

李响 .

中国专利 :CN114161258A ,2022-03-11

[8]

适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液及其制备方法 [P].

黄传锦 ;

周海 ;

顾斌 ;

刘道标 ;

惠学芹 ;

吴进 .

中国专利 :CN105038606A ,2015-11-11

[9]

一种氧化镓晶片表面处理方法 [P].

张辉 ;

刘莹莹 ;

金竹 ;

夏宁 ;

马可可 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN114262940B ,2022-04-01

[10]

一种用于砷化镓晶片的抛光液及其制备方法 [P].

仲跻和 .

中国专利 :CN101081966A ,2007-12-05

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