一种氧化镓晶片防解理的边缘磨削方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111504627.7

申请日：

2021-12-10

公开(公告)号：

CN114161258A

公开(公告)日：

2022-03-11

发明(设计)人：

张弛李晖霍晓青高飞王磊张胜男高鹏程王淳李响

申请人：

申请人地址：

300220 天津市河西区洞庭路26号

IPC主分类号：

B24B906

IPC分类号：

B24B4106 B24B4100 B24B4104 H01L21463

代理机构：

天津中环专利商标代理有限公司 12105

代理人：

王凤英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 9/06 申请日:20211210
2022-03-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氧化镓晶片防解理的边缘磨削方法 [P].

张弛 ;

李晖 ;

霍晓青 ;

高飞 ;

王磊 ;

张胜男 ;

高鹏程 ;

王淳 ;

李响 .

中国专利 :CN114161258B ,2024-08-27

[2]

一种用于氧化镓晶体的防解理加工方法 [P].

李晖 ;

高飞 ;

徐世海 ;

练小正 ;

徐永宽 ;

王磊 ;

张弛 ;

王添依 ;

张海磊 .

中国专利 :CN106695478B ,2017-05-24

[3]

氧化镓晶片抗解理抛光液及其制备方法 [P].

周海 ;

徐晓明 ;

龚凯 .

中国专利 :CN105153943B ,2015-12-16

[4]

氧化镓晶片抗解理悬浮研磨液及其制备方法 [P].

周海 ;

徐晓明 ;

龚凯 .

中国专利 :CN105273638A ,2016-01-27

[5]

一种基于控制力的氧化镓防解理加工方法 [P].

高尚 ;

康仁科 ;

何宜伟 ;

董志刚 ;

朱祥龙 ;

牟宇 .

中国专利 :CN110640565A ,2020-01-03

[6]

一种氧化镓单晶片的制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN114012917B ,2024-10-15

[7]

一种氧化镓单晶片的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN114012917A ,2022-02-08

[8]

一种氧化镓晶片表面处理方法 [P].

张辉 ;

刘莹莹 ;

金竹 ;

夏宁 ;

马可可 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN114262940B ,2022-04-01

[9]

一种氧化镓晶片CMP后的清洗方法 [P].

陈政委 ;

赵德刚 ;

范钦明 .

中国专利 :CN112474550B ,2021-03-12

[10]

适用于硬脆易解理单晶氧化镓晶片的高效低损伤研磨方法 [P].

徐晓明 ;

周海 ;

黄传锦 ;

徐彤彤 ;

夏斯伟 ;

龚凯 .

中国专利 :CN106711032B ,2017-05-24

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