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适用于硬脆易解理单晶氧化镓晶片的高效低损伤研磨方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201611130455.0
申请日
:
2016-12-09
公开(公告)号
:
CN106711032B
公开(公告)日
:
2017-05-24
发明(设计)人
:
徐晓明
周海
黄传锦
徐彤彤
夏斯伟
龚凯
申请人
:
申请人地址
:
224051 江苏省盐城市世纪大道1166号研创大厦
IPC主分类号
:
H01L21304
IPC分类号
:
代理机构
:
南京经纬专利商标代理有限公司 32200
代理人
:
杨海军
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-05-24
公开
公开
2017-06-16
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101727784372 IPC(主分类):H01L 21/304 专利申请号:2016111304550 申请日:20161209
2019-03-29
授权
授权
共 32 条
[1]
氧化镓晶片抗解理悬浮研磨液及其制备方法
[P].
周海
论文数:
0
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0
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周海
;
徐晓明
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徐晓明
;
龚凯
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龚凯
.
中国专利
:CN105273638A
,2016-01-27
[2]
单晶氧化镓的制备方法及用于制备单晶氧化镓的工艺设备
[P].
请求不公布姓名
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机构:
苏州燎塬半导体有限公司
苏州燎塬半导体有限公司
请求不公布姓名
;
请求不公布姓名
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0
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0
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机构:
苏州燎塬半导体有限公司
苏州燎塬半导体有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN114381800B
,2024-09-20
[3]
单晶氧化镓的制备方法及用于制备单晶氧化镓的工艺设备
[P].
不公告发明人
论文数:
0
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不公告发明人
.
中国专利
:CN114381800A
,2022-04-22
[4]
一种氧化镓晶片防解理的边缘磨削方法
[P].
张弛
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机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
张弛
;
李晖
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机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
李晖
;
霍晓青
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机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
霍晓青
;
高飞
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机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
高飞
;
王磊
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机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
王磊
;
张胜男
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机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
张胜男
;
高鹏程
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机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
高鹏程
;
王淳
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机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
王淳
;
李响
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机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
李响
.
中国专利
:CN114161258B
,2024-08-27
[5]
一种氧化镓晶片防解理的边缘磨削方法
[P].
张弛
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张弛
;
李晖
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李晖
;
霍晓青
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霍晓青
;
高飞
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高飞
;
王磊
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王磊
;
张胜男
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张胜男
;
高鹏程
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高鹏程
;
王淳
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王淳
;
李响
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李响
.
中国专利
:CN114161258A
,2022-03-11
[6]
一种氧化镓单晶片的制备方法
[P].
请求不公布姓名
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机构:
苏州燎塬半导体有限公司
苏州燎塬半导体有限公司
请求不公布姓名
;
请求不公布姓名
论文数:
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机构:
苏州燎塬半导体有限公司
苏州燎塬半导体有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN114012917B
,2024-10-15
[7]
一种氧化镓单晶片的制备方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
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0
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不公告发明人
.
中国专利
:CN114012917A
,2022-02-08
[8]
适用于氧化镓晶体的生长设备
[P].
肖迪
论文数:
0
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肖迪
.
中国专利
:CN111719180A
,2020-09-29
[9]
一种用于检测氧化镓单晶加工表面损伤层的腐蚀液及检测方法
[P].
周海
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周海
;
韦嘉辉
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韦嘉辉
;
张杰群
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0
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0
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张杰群
;
沈军州
论文数:
0
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0
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沈军州
;
朱江
论文数:
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0
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朱江
.
中国专利
:CN111829941A
,2020-10-27
[10]
一种适用于氧化镓衬底的环保研磨膏及其制备方法
[P].
黄传锦
论文数:
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黄传锦
;
周海
论文数:
0
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周海
;
顾斌
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顾斌
;
徐晓明
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徐晓明
;
龚凯
论文数:
0
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0
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龚凯
.
中国专利
:CN105950115A
,2016-09-21
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