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半导体结构的形成方法
被引：0
申请号：
CN202011246378.1
申请日：
2020-11-10
公开(公告)号：
CN114464570A
公开(公告)日：
2022-05-10
发明(设计)人：
左权
申请人：
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L21768
IPC分类号：
代理机构：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人：
孙佳胤;高德志
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-05-10 | 公开 | 公开 |
| 2022-05-27 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20201110 |