SOI BJT应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210244421.X

申请日：

2012-07-16

公开(公告)号：

CN102723339A

公开(公告)日：

2012-10-10

发明(设计)人：

宋建军胡辉勇舒斌张鹤鸣宣荣喜李妤晨吕懿郝跃

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2184

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101476734464 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:201210244421X 申请日:20120716
2012-10-10	公开	公开
2015-07-01	授权	授权
2021-07-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20120716 授权公告日:20150701 终止日期:20200716

共 50 条

[41]

一种混合晶面三应变BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

王海栋 ;

周春宇 ;

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738166A ,2012-10-17

[42]

一种双应变混合晶面SOI BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

吕懿 ;

周春宇 ;

舒斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102723335B ,2012-10-10

[43]

一种基于晶面选择的三应变SOI Si基BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

王海栋 ;

王斌 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102751289B ,2012-10-24

[44]

应变SiGe沟道的倒梯形栅CMOS集成器件及制备方法 [P].

刘翔宇 ;

王斌 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

宣荣喜 .

中国专利 :CN105244319A ,2016-01-13

[45]

一种基于三多晶SiGe HBT的混合晶面应变BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

张鹤鸣 ;

李妤晨 ;

胡辉勇 ;

宋建军 ;

王海栋 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102751292A ,2012-10-24

[46]

一种应变SiGe垂直CMOS集成器件及制备方法 [P].

宋建军 ;

胡辉勇 ;

王斌 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

周春宇 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102832218B ,2012-12-19

[47]

一种双多晶SiGe HBT混合晶面BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

张鹤鸣 ;

吕懿 ;

胡辉勇 ;

宋建军 ;

李妤晨 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738163B ,2012-10-17

[48]

一种应变Si垂直回型沟道纳米CMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

王斌 ;

王海栋 ;

李妤晨 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102723332A ,2012-10-10

[49]

一种基于SOI衬底的双多晶平面应变BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

张鹤鸣 ;

王斌 ;

宣荣喜 ;

胡辉勇 ;

宋建军 ;

吕懿 ;

舒斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102820307B ,2012-12-12

[50]

一种基于SOI衬底的BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

胡辉勇 ;

王海栋 ;

舒斌 ;

吕懿 ;

宣荣喜 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738175B ,2012-10-17

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