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一种非平衡磁控溅射离子镀磁场闭合状态控制方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201210474290.4
申请日
:
2012-11-20
公开(公告)号
:
CN103834922A
公开(公告)日
:
2014-06-04
发明(设计)人
:
虞建忠
申请人
:
申请人地址
:
313012 浙江省湖州市南浔区双林镇巷门里2号
IPC主分类号
:
C23C1432
IPC分类号
:
C23C1435
C23C1454
代理机构
:
杭州新源专利事务所(普通合伙) 33234
代理人
:
李大刚
法律状态
:
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2016-07-06
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101735284689 IPC(主分类):C23C 14/32 专利申请号:2012104742904 申请公布日:20140604
2014-06-04
公开
公开
共 50 条
[1]
非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备
[P].
文晓斌
论文数:
0
引用数:
0
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0
文晓斌
;
栾亚
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0
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栾亚
.
中国专利
:CN202643827U
,2013-01-02
[2]
非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备
[P].
文晓斌
论文数:
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0
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0
文晓斌
;
栾亚
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0
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0
栾亚
.
中国专利
:CN102677011B
,2012-09-19
[3]
轴承滚柱非平衡磁控溅射离子镀装置
[P].
刘长明
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刘长明
;
陈玲芳
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0
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陈玲芳
.
中国专利
:CN203999795U
,2014-12-10
[4]
轴承滚柱非平衡磁控溅射离子镀装置及方法
[P].
刘长明
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刘长明
;
陈玲芳
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陈玲芳
.
中国专利
:CN104328380A
,2015-02-04
[5]
闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备
[P].
金广福
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0
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金广福
.
中国专利
:CN102653857A
,2012-09-05
[6]
一种磁控溅射离子镀方法
[P].
郭丽芬
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郭丽芬
;
钟源
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钟源
;
宫清
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宫清
.
中国专利
:CN100560788C
,2008-06-04
[7]
一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备
[P].
金广福
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0
金广福
.
中国专利
:CN202643826U
,2013-01-02
[8]
一种基于闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术制备梯度Ti-DLC复合自润滑薄膜的方法
[P].
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机构:
闫牧夫
;
张诗东
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机构:
哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学
张诗东
;
论文数:
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机构:
张雁祥
;
论文数:
引用数:
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机构:
闫扶摇
.
中国专利
:CN118166324A
,2024-06-11
[9]
一种非平衡磁控溅射镀钽装置
[P].
陈光英
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陈光英
;
王国华
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王国华
;
宋坤
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宋坤
;
刘江
论文数:
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0
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刘江
.
中国专利
:CN216808951U
,2022-06-24
[10]
一种磁控溅射离子镀双层膜用炉
[P].
马晓明
论文数:
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马晓明
.
中国专利
:CN204779791U
,2015-11-18
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