多弧离子镀合金涂层的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96114618.4

申请日：

1996-12-13

公开(公告)号：

CN1184859A

公开(公告)日：

1998-06-17

发明(设计)人：

张钧

申请人：

申请人地址：

110044辽宁省沈阳市大东区望花南街21号

IPC主分类号：

C23C1454

IPC分类号：

代理机构：

东北大学专利事务所

代理人：

李运萍;戚羽

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1998-11-04	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1998-06-17	公开	公开
2000-10-11	授权	授权
2004-02-11	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止

共 50 条

[1]

多弧离子镀弧源装置 [P].

王磊 ;

孙雪晴 ;

胡平 ;

储松柏 ;

任斌 .

中国专利 :CN216074013U ,2022-03-18

[2]

采用多弧离子镀制备(TiAlZr)N超硬涂层的方法 [P].

张钧 ;

张利鹏 ;

郭强 ;

李丽 ;

王春莉 ;

董世柱 .

中国专利 :CN100584994C ,2008-07-02

[3]

多弧离子镀的双线圈控制弧源装置及多弧离子镀设备 [P].

李浩 ;

姚奕帆 ;

徐小军 ;

朱旻昊 .

中国专利 :CN117448753A ,2024-01-26

[4]

Cr离子轰击改善多弧离子镀涂层性能的方法 [P].

曾德长 ;

易斌 ;

邱兆国 .

中国专利 :CN110872697A ,2020-03-10

[5]

微弧离子镀方法 [P].

蒋百铃 ;

曹政 ;

李洪涛 ;

赵健 .

中国专利 :CN103397304A ,2013-11-20

[6]

用于多弧离子镀设备的靶座 [P].

郭强 ;

张利鹏 ;

王闯 ;

郭文英 ;

张钧 .

中国专利 :CN201033800Y ,2008-03-12

[7]

一种多弧离子镀阴极装置及多弧离子镀方法 [P].

盛海 ;

杨安存 ;

韦金权 ;

王金年 .

中国专利 :CN119506791A ,2025-02-25

[8]

一种多弧离子镀及镀膜方法 [P].

陈刚 ;

周敏 ;

樊庆根 ;

陈亮 .

中国专利 :CN105779947A ,2016-07-20

[9]

阴极弧离子镀制备AlCrN涂层的装置和方法 [P].

孔德军 ;

付贵忠 ;

王文昌 ;

吴永忠 ;

蔡金龙 ;

张垒 ;

龙丹 ;

叶存冬 .

中国专利 :CN103132026B ,2013-06-05

[10]

一种多弧离子镀镀膜的方法 [P].

吴化 ;

王淮 ;

宫文彪 ;

宋力 ;

中山弘建 .

中国专利 :CN102534514A ,2012-07-04

← 1 2 3 4 5 →