采用多弧离子镀制备(TiAlZr)N超硬涂层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610155849.1

申请日：

2006-12-30

公开(公告)号：

CN100584994C

公开(公告)日：

2008-07-02

发明(设计)人：

张钧张利鹏郭强李丽王春莉董世柱

申请人：

申请人地址：

110044辽宁省沈阳市大东区望花南街21号

IPC主分类号：

C23C1414

IPC分类号：

C23C1424 C23C1458

代理机构：

沈阳东大专利代理有限公司

代理人：

戚羽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-07-02	公开	公开
2010-01-27	授权	授权
2008-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-02-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101573761197 IPC(主分类):C23C 14/14 专利号:ZL2006101558491 申请日:20061230 授权公告日:20100127 终止日期:20121230

共 50 条

[1]

多弧离子镀合金涂层的制备方法 [P].

张钧 .

中国专利 :CN1184859A ,1998-06-17

[2]

多弧离子镀钛铝铬硅钇氮化物多组元超硬反应膜的制备方法 [P].

张钧 ;

王闯 ;

郭文英 ;

李丽 ;

彭娜 .

中国专利 :CN101230448B ,2008-07-30

[3]

多弧离子镀抗空蚀镍基金属涂层及其制备方法 [P].

刘正良 ;

曾潮流 ;

杨凌旭 ;

付超 .

中国专利 :CN113718208A ,2021-11-30

[4]

一种多弧离子镀阴极装置及多弧离子镀方法 [P].

盛海 ;

杨安存 ;

韦金权 ;

王金年 .

中国专利 :CN119506791A ,2025-02-25

[5]

一种多弧离子镀超晶格纳米复合涂层及其制备方法 [P].

张世宏 ;

蔡飞 ;

方炜 ;

李伟 .

中国专利 :CN102605324A ,2012-07-25

[6]

多弧离子镀弧源装置 [P].

王磊 ;

孙雪晴 ;

胡平 ;

储松柏 ;

任斌 .

中国专利 :CN216074013U ,2022-03-18

[7]

多弧离子镀的双线圈控制弧源装置及多弧离子镀设备 [P].

李浩 ;

姚奕帆 ;

徐小军 ;

朱旻昊 .

中国专利 :CN117448753A ,2024-01-26

[8]

多弧离子镀制备小调制周期Ti/TiN超硬纳米多层膜 [P].

孙珲 ;

郑小龙 ;

宋淑梅 ;

杨田林 ;

王宝铭 ;

王昆仑 ;

杨波波 .

中国专利 :CN109440069B ,2019-03-08

[9]

一种多弧离子镀加速系统 [P].

孔德军 ;

王进春 ;

汤成建 ;

赵本国 ;

盛天源 .

中国专利 :CN105039914A ,2015-11-11

[10]

Cr离子轰击改善多弧离子镀涂层性能的方法 [P].

曾德长 ;

易斌 ;

邱兆国 .

中国专利 :CN110872697A ,2020-03-10

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