中空二氧化硅颗粒、包含它们的组合物以及它们的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680029083.0

申请日：

2006-08-09

公开(公告)号：

CN101299989A

公开(公告)日：

2008-11-05

发明(设计)人：

K·K·卡拉 M·D·布茨 D·S·威廉姆斯 S·E·杰诺维斯

申请人：

申请人地址：

美国俄亥俄

IPC主分类号：

A61K825

IPC分类号：

C01B3318

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

张钦

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-11-05	公开	公开
2013-02-13	授权	授权
2020-07-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):A61K 8/25 申请日:20060809 授权公告日:20130213 终止日期:20190809
2008-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

中空二氧化硅粒子及其制备方法 [P].

马修·大卫·巴茨 ;

萨拉·伊丽莎白·吉诺维斯 ;

保罗·伯切尔·格拉泽 ;

达里尔·斯蒂芬·威廉姆斯 .

中国专利 :CN101282907A ,2008-10-08

[2]

多孔中空二氧化硅纳米颗粒、所述二氧化硅纳米颗粒的制备方法以及包含所述二氧化硅纳米颗粒的药物载体和药物组合物 [P].

咸承柱 ;

徐桭锡 ;

许镛敏 ;

尹昊勤 ;

梁在文 ;

李在元 ;

康珍英 .

中国专利 :CN101687632B ,2010-03-31

[3]

中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

松原俊哉 ;

金贤枝 ;

片山肇 ;

荒井雄介 .

日本专利 :CN118145659A ,2024-06-07

[4]

中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

松原俊哉 ;

金贤枝 ;

片山肇 ;

荒井雄介 .

日本专利 :CN115210179B ,2024-03-29

[5]

制备中空二氧化硅颗粒的方法 [P].

F·阿米切 .

中国专利 :CN1082529C ,1999-05-12

[6]

改性的二氧化硅粒子和包含它们的防污聚合物组合物 [P].

V·K·米季纳 ;

W·彼得 .

中国专利 :CN102428145A ,2012-04-25

[7]

二氧化硅颗粒以及二氧化硅颗粒的制备方法 [P].

奥野广良 ;

井上敏司 ;

饭田能史 ;

中岛与人 ;

钱谷优香 ;

惠利祥史 ;

角仓康夫 ;

师冈泰久 ;

野崎骏介 ;

岩永猛 ;

竹内荣 .

中国专利 :CN106517214A ,2017-03-22

[8]

多孔二氧化硅的制备方法以及多孔二氧化硅 [P].

今井宏明 ;

绪明佑哉 ;

渡辺洋人 .

中国专利 :CN102834355B ,2012-12-19

[9]

中空二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

神谷广幸 ;

金贤枝 ;

松原俊哉 .

中国专利 :CN111566047A ,2020-08-21

[10]

表面改性的二氧化硅颗粒 [P].

U·D·屈纳 .

中国专利 :CN102027074A ,2011-04-20

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