泡沫氮化镓及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610224132.1

申请日：

2016-04-12

公开(公告)号：

CN107285798B

公开(公告)日：

2017-10-24

发明(设计)人：

潘革波秦双娇彭飞陈雪晴

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号

IPC主分类号：

H01L3322

IPC分类号：

C04B3800 C04B3558

代理机构：

深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304

代理人：

孙伟峰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-24	公开	公开
2017-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 38/00 申请日:20160412
2020-11-06	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓半导体器件及其制作方法 [P].

李东键 ;

金荣善 ;

金权济 ;

骆薇薇 ;

孙在亨 .

中国专利 :CN108428741B ,2018-08-21

[2]

氮化镓基板的制作方法 [P].

曾坚信 .

中国专利 :CN102610705A ,2012-07-25

[3]

氮化镓器件制作方法及氮化镓器件 [P].

邹鹏辉 ;

林志东 ;

刘胜厚 ;

卢益锋 ;

蔡仙清 ;

许若华 ;

杨健 .

中国专利 :CN110112068B ,2019-08-09

[4]

氮化镓半导体功率器件及其制作方法 [P].

张铭宏 ;

郭超凡 ;

王中党 ;

高吴昊 .

中国专利 :CN119153322B ,2025-01-14

[5]

氮化镓半导体功率器件及其制作方法 [P].

张铭宏 ;

郭超凡 ;

王中党 ;

高吴昊 .

中国专利 :CN119153322A ,2024-12-17

[6]

氮化镓基半导体器件及其制作方法 [P].

林科闯 ;

房育涛 ;

刘波亭 ;

毛张文 ;

李健 ;

张恺玄 ;

杨健 .

中国专利 :CN110600547B ,2019-12-20

[7]

氮化镓器件台面的制作方法 [P].

张鹏 ;

陆书龙 ;

杨文献 ;

顾颖 ;

邱海兵 ;

张雪 .

中国专利 :CN114883455A ,2022-08-09

[8]

氮化镓衬底及其制作方法以及半导体器件的制作方法 [P].

王瑞 ;

王彦彬 ;

敖辉 ;

庄文荣 ;

颜建锋 .

中国专利 :CN119673763A ,2025-03-21

[9]

氮化镓衬底及其制作方法以及半导体器件的制作方法 [P].

王瑞 ;

王彦彬 ;

敖辉 ;

庄文荣 ;

颜建锋 .

中国专利 :CN119673763B ,2025-12-05

[10]

自支撑氮化镓层及其制作方法 [P].

刘仁锁 ;

王颖慧 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 ;

罗晓菊 .

中国专利 :CN111218643A ,2020-06-02

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