量子点薄膜及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710100106.2
申请日
2017-02-23
公开(公告)号
CN107658385A
公开(公告)日
2018-02-02
发明(设计)人
陈亚文
申请人
申请人地址
510000 广东省广州市广州中新广州知识城凤凰三路17号自编五栋388
IPC主分类号
H01L5150
IPC分类号
H01L5156
代理机构
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
王雯雯;陈凌
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
量子点墨水、量子点薄膜的制备方法 [P]. 
李雪 .
中国专利 :CN113122063A ,2021-07-16
[2]
量子点墨水、量子点薄膜的制备方法 [P]. 
李雪 .
中国专利 :CN113122053A ,2021-07-16
[3]
发光材料和量子点薄膜及其制备方法 [P]. 
聂志文 ;
刘文勇 .
中国专利 :CN112391162A ,2021-02-23
[4]
量子点薄膜及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法 [P]. 
张旋宇 ;
刘文勇 .
中国专利 :CN113831909B ,2024-09-27
[5]
量子点薄膜及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法 [P]. 
张旋宇 ;
刘文勇 .
中国专利 :CN113831909A ,2021-12-24
[6]
量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管及其制备方法 [P]. 
周礼宽 ;
邹文鑫 .
中国专利 :CN113972342B ,2024-04-30
[7]
量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管及其制备方法 [P]. 
周礼宽 ;
邹文鑫 .
中国专利 :CN113972342A ,2022-01-25
[8]
量子点薄膜,量子点发光二极管及其制备方法 [P]. 
聂志文 ;
刘文勇 .
中国专利 :CN113025308A ,2021-06-25
[9]
量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管 [P]. 
周礼宽 ;
孙培川 .
中国专利 :CN113943410B ,2024-02-06
[10]
量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管 [P]. 
周礼宽 ;
孙培川 .
中国专利 :CN113943410A ,2022-01-18