氮化铝单晶基板及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180075372.5

申请日：

2011-12-22

公开(公告)号：

CN103975098A

公开(公告)日：

2014-08-06

发明(设计)人：

纐缬明伯熊谷义直永岛彻平连有纪

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C30B2502

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

刘宗杰;巩克栋

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 29/38 申请公布日:20140806
2014-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587846538 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2011800753725 申请日:20111222
2014-08-06	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化铝单晶基板及其制造方法 [P].

纐缬明伯 ;

熊谷义直 ;

永岛彻 ;

平连有纪 .

中国专利 :CN111621852A ,2020-09-04

[2]

氮化铝单晶基板的制造方法 [P].

永岛徹 ;

冈山玲子 ;

福田真行 ;

柳裕之 .

中国专利 :CN108713075B ,2018-10-26

[3]

氮化铝单晶基板、使用氮化铝单晶基板的半导体晶圆及其制造方法 [P].

木下亨 .

日本专利 :CN118510945A ,2024-08-16

[4]

氮化铝单晶的制造装置、氮化铝单晶的制造方法及氮化铝单晶 [P].

加藤智久 ;

长井一郎 ;

三浦知则 ;

鎌田弘之 .

中国专利 :CN102405310B ,2012-04-04

[5]

III族氮化物单晶基板的制造方法、氮化铝单晶基板 [P].

福田真行 ;

人见达矢 ;

山本玲绪 .

日本专利 :CN118159695A ,2024-06-07

[6]

氮化铝单晶制造方法 [P].

福山博之 ;

东正信 ;

高田和哉 ;

服部刚 .

中国专利 :CN102639764A ,2012-08-15

[7]

n型氮化铝单晶基板 [P].

木下亨 ;

永岛彻 .

中国专利 :CN106574399A ,2017-04-19

[8]

氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

平松和政 ;

三宅秀人 ;

坊山晋也 ;

前田尚良 ;

小野善伸 .

中国专利 :CN1759469A ,2006-04-12

[9]

氮化铝单晶 [P].

岩崎洋介 ;

中村启一郎 .

中国专利 :CN108463582A ,2018-08-28

[10]

LED灯用氮化铝单晶基板 [P].

林伟毅 .

中国专利 :CN209876845U ,2019-12-31

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