氮化铝单晶基板及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180075372.5

申请日：

2011-12-22

公开(公告)号：

CN103975098A

公开(公告)日：

2014-08-06

发明(设计)人：

纐缬明伯熊谷义直永岛彻平连有纪

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C30B2502

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

刘宗杰;巩克栋

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 29/38 申请公布日:20140806
2014-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587846538 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2011800753725 申请日:20111222
2014-08-06	公开	公开

共 50 条

[21]

氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1870223A ,2006-11-29

[22]

一种氮化铝单晶基板的制备方法 [P].

张财根 ;

刘卫平 ;

谢荣坤 ;

林嘉远 .

中国专利 :CN119145046B ,2025-03-14

[23]

一种氮化铝单晶基板的制备方法 [P].

张财根 ;

刘卫平 ;

谢荣坤 ;

林嘉远 .

中国专利 :CN119145046A ,2024-12-17

[24]

氮化铝单晶材料制备方法 [P].

杨少延 ;

魏鸿源 ;

焦春美 ;

刘祥林 .

中国专利 :CN102828251A ,2012-12-19

[25]

氮化铝单晶薄膜及其制备方法和应用 [P].

苏冠华 ;

曹彦伟 ;

张如意 .

中国专利 :CN117448966A ,2024-01-26

[26]

发光器件、氮化铝制品、氮化铝单晶及其制作方法、应用 [P].

王新强 ;

袁冶 ;

刘上锋 ;

罗巍 ;

康俊杰 .

中国专利 :CN114059165B ,2022-02-18

[27]

具有氮化铝成核层的基板及其制造方法 [P].

谢伟杰 ;

黄彦纶 ;

刘嘉哲 ;

李依晴 .

中国专利 :CN112117324B ,2024-06-11

[28]

具有氮化铝成核层的基板及其制造方法 [P].

谢伟杰 ;

黄彦纶 ;

刘嘉哲 ;

李依晴 .

中国专利 :CN112117324A ,2020-12-22

[29]

氮化铝单晶衬底的制备方法 [P].

王增华 ;

程红娟 ;

王英民 ;

张弛 ;

张丽 ;

高飞 ;

张颖 .

中国专利 :CN120119323A ,2025-06-10

[30]

大尺寸紫外透明氮化铝单晶及其制备方法 [P].

R·T·伯恩多考夫 ;

陈贱峰 ;

山岡慶祐 ;

王时超 ;

S·P·拉奥 ;

鈴木崇志 ;

L·J·邵瓦尔特 .

中国专利 :CN111630630A ,2020-09-04

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