微波等离子体产生室

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专利类型
发明
申请号
CN201680044385.9
申请日
2016-07-20
公开(公告)号
CN107926107B
公开(公告)日
2018-04-17
发明(设计)人
M·哈默尔
申请人
申请人地址
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
H05H130
IPC分类号
H05H146 H05H126
代理机构
北京坤瑞律师事务所 11494
代理人
史悦
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种微波等离子体产生装置 [P]. 
王邱林 ;
吉皓 .
中国专利 :CN112888134B ,2024-03-08
[2]
一种微波等离子体产生装置 [P]. 
王邱林 ;
吉皓 .
中国专利 :CN112888134A ,2021-06-01
[3]
微波等离子体源及其产生方法 [P]. 
M·R·哈米尔 .
中国专利 :CN1286350C ,2005-05-18
[4]
微波等离子体火炬产生装置 [P]. 
丁海兵 ;
王彬彬 ;
吉忠浩 ;
陆登峰 ;
肖韧 ;
唐科 .
中国专利 :CN114760747B ,2025-02-28
[5]
微波等离子体火炬产生装置 [P]. 
丁海兵 ;
王彬彬 ;
吉忠浩 ;
陆登峰 ;
肖韧 ;
唐科 .
中国专利 :CN114760747A ,2022-07-15
[6]
用于产生均匀可调的微波等离子体的等离子体喷嘴阵列 [P]. 
李相勋 ;
金重秀 .
中国专利 :CN101066000B ,2007-10-31
[7]
一种微波等离子体产生装置 [P]. 
王邱林 ;
吉皓 .
中国专利 :CN214101881U ,2021-08-31
[8]
等离子体产生装置及等离子体产生方法 [P]. 
熊谷裕典 ;
今井伸一 .
中国专利 :CN103429539A ,2013-12-04
[9]
等离子体产生设备及等离子体处理设备 [P]. 
尤里·N·托尔马切夫 ;
马东俊 ;
金大一 ;
瑟吉·Y·纳瓦拉 .
中国专利 :CN1652661A ,2005-08-10
[10]
等离子体产生装置以及等离子体产生方法 [P]. 
岩田卓也 ;
池户俊之 .
日本专利 :CN117596763A ,2024-02-23