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集成芯片结构和其形成方法以及形成多维集成芯片的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010940991.7
申请日：
2020-09-09
公开(公告)号：
CN112750758A
公开(公告)日：
2021-05-04
发明(设计)人：
李昇展 周正贤 陈昇照 蔡正原 吴国铭
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹
IPC主分类号：
H01L21768
IPC分类号：
H01L2348 H01L23528 H01L2160
代理机构：
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人：
章社杲;李伟
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-05-21 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20200909
2021-05-04 公开 公开
共 50 条
[1]
集成芯片结构和其形成方法以及形成多维集成芯片的方法 [P]. 
李昇展 ;
周正贤 ;
陈昇照 ;
蔡正原 ;
吴国铭 .
中国专利 :CN112750758B ,2025-05-27
[2]
集成芯片结构及其形成方法、多维集成芯片 [P]. 
黄志辉 ;
周正贤 ;
蔡正原 ;
吴国铭 ;
李昇展 .
中国专利 :CN112750707A ,2021-05-04
[3]
集成芯片和形成集成芯片的方法 [P]. 
徐英杰 .
中国专利 :CN118280988A ,2024-07-02
[4]
集成芯片以及用于形成集成芯片的方法 [P]. 
马礼修 ;
林仲德 ;
荷尔本·朵尔伯斯 ;
马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 .
中国专利 :CN111129293A ,2020-05-08
[5]
集成芯片以及用于形成集成芯片的方法 [P]. 
马礼修 ;
林仲德 ;
荷尔本·朵尔伯斯 ;
马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 .
中国专利 :CN111129293B ,2024-01-30
[6]
集成芯片及其形成方法 [P]. 
杨宗学 .
中国专利 :CN117542806A ,2024-02-09
[7]
集成芯片及其形成方法 [P]. 
张永昌 ;
林孟汉 .
中国专利 :CN113341501A ,2021-09-03
[8]
集成芯片及其形成方法 [P]. 
蒋国璋 ;
张志宇 ;
施昱全 ;
陈晏谊 ;
王冠奇 .
中国专利 :CN120659380A ,2025-09-16
[9]
集成芯片及其形成方法 [P]. 
施宏霖 ;
吴尉壮 ;
杨世匡 ;
林杏芝 ;
刘人诚 .
中国专利 :CN113889457A ,2022-01-04
[10]
集成芯片及其形成方法 [P]. 
吴伟成 ;
连瑞宗 ;
王羽榛 ;
朱芳兰 ;
林宏达 ;
张谷宁 .
中国专利 :CN107017231A ,2017-08-04
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