半导体硅片清洗工艺腔

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201020548508.2

申请日：

2010-09-29

公开(公告)号：

CN201898117U

公开(公告)日：

2011-07-13

发明(设计)人：

张晨骋张伟

申请人：

申请人地址：

201210 上海市张江高斯路497号

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-13	授权	授权
2020-10-27	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/00 申请日:20100929 授权公告日:20110713

共 50 条

[1]

半导体硅片清洗工艺腔和清洗方法 [P].

张晨骋 .

中国专利 :CN102005367B ,2011-04-06

[2]

半导体硅片的清洗工艺腔 [P].

张晨骋 .

中国专利 :CN202006190U ,2011-10-12

[3]

半导体硅片的清洗工艺腔及半导体硅片的清洗工艺 [P].

张晨骋 .

中国专利 :CN102243988B ,2011-11-16

[4]

一种半导体硅片清洗腔 [P].

余涛 ;

唐杰 ;

朴灵绪 ;

张霞 ;

郭巍 .

中国专利 :CN211455668U ,2020-09-08

[5]

半导体硅片的清洗装置 [P].

张晨骋 .

中国专利 :CN200997395Y ,2007-12-26

[6]

半导体硅片的清洗设备 [P].

张晨骋 .

中国专利 :CN201454905U ,2010-05-12

[7]

半导体硅片清洗装置 [P].

张晨骋 .

中国专利 :CN201348988Y ,2009-11-18

[8]

半导体硅片的去胶工艺腔及去胶方法 [P].

张晨骋 .

中国专利 :CN102496592A ,2012-06-13

[9]

半导体硅片制造工艺 [P].

库黎明 ;

闫志瑞 ;

索思卓 ;

陈海滨 ;

盛方毓 .

中国专利 :CN101791779A ,2010-08-04

[10]

半导体工艺腔室的清洗方法 [P].

林源为 .

中国专利 :CN115382855B ,2024-10-25

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