一种氮化镓外延芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021110727.2

申请日：

2020-06-16

公开(公告)号：

CN212209534U

公开(公告)日：

2020-12-22

发明(设计)人：

李东键叶宏伦钟健钟其龙刘崇志张本义

申请人：

申请人地址：

210000 江苏省南京市江宁区秣周东路12号未来科技城U谷R410

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3304 H01L3312 H01L3300

代理机构：

厦门市新华专利商标代理有限公司 35203

代理人：

罗恒兰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种氮化镓外延芯片 [P].

李东键 ;

叶宏伦 ;

钟健 ;

钟其龙 ;

刘崇志 ;

张本义 .

中国专利 :CN212907773U ,2021-04-06

[2]

一种氮化镓外延芯片 [P].

李东键 ;

叶宏伦 ;

钟健 ;

钟其龙 ;

刘崇志 ;

张本义 .

中国专利 :CN212907772U ,2021-04-06

[3]

一种氮化镓外延芯片及其制备方法 [P].

李东键 ;

叶宏伦 ;

钟健 ;

刘崇志 ;

张本义 .

中国专利 :CN111628060A ,2020-09-04

[4]

一种氮化镓外延芯片及其制备方法 [P].

李东键 ;

叶宏伦 ;

钟健 ;

钟其龙 ;

刘崇志 ;

张本义 .

中国专利 :CN111628061A ,2020-09-04

[5]

一种氮化镓外延芯片及其制备方法 [P].

李东键 ;

叶宏伦 ;

钟健 ;

钟其龙 ;

刘崇志 ;

张本义 .

中国专利 :CN111682093A ,2020-09-18

[6]

氮化镓外延结构 [P].

徐琳 .

中国专利 :CN216624314U ,2022-05-27

[7]

氮化镓外延层 [P].

李克涛 ;

杜晓沨 ;

李宁 ;

张信 .

中国专利 :CN114447096A ,2022-05-06

[8]

用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底及氮化镓外延结构 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN213459739U ,2021-06-15

[9]

一种氮化镓外延层的生长方法以及氮化镓外延层 [P].

王建峰 .

中国专利 :CN117832062A ,2024-04-05

[10]

氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延层 [P].

尹甲运 ;

房玉龙 ;

王波 ;

郭艳敏 ;

张志荣 ;

李佳 ;

芦伟立 .

中国专利 :CN109119333B ,2019-01-01

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