半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580005053.5

申请日：

2015-02-02

公开(公告)号：

CN105917478A

公开(公告)日：

2016-08-31

发明(设计)人：

三好晃平

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3306

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

白丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101680680888 IPC(主分类):H01L 33/32 专利申请号:2015800050535 申请日:20150202
2016-08-31	公开	公开
2018-05-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 33/32 申请公布日:20160831

共 50 条

[1]

半导体发光元件、发光装置 [P].

楠木克辉 ;

佐藤寿朗 .

中国专利 :CN103730551A ,2014-04-16

[2]

半导体发光元件及发光装置 [P].

楠濑健 ;

坂本贵彦 .

中国专利 :CN101150165A ,2008-03-26

[3]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法 [P].

楠木克辉 ;

佐藤寿朗 .

中国专利 :CN103972337A ,2014-08-06

[4]

氮化物半导体发光元件 [P].

林齐一 .

日本专利 :CN120659437A ,2025-09-16

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

名古肇 ;

木村重哉 ;

原田佳幸 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103915531A ,2014-07-09

[6]

氮化物半导体发光元件 [P].

兼平真吾 ;

川田至孝 ;

安倍弘喜 .

日本专利 :CN119730488A ,2025-03-28

[7]

氮化物半导体发光元件 [P].

翁宇峰 ;

M.布罗克利 .

中国专利 :CN102456791B ,2012-05-16

[8]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 ;

高尾一史 .

日本专利 :CN120129369A ,2025-06-10

[9]

氮化物半导体结构及半导体发光元件 [P].

王信介 ;

李玉柱 ;

吴俊德 ;

林京亮 ;

李允立 .

中国专利 :CN103972339A ,2014-08-06

[10]

氮化物半导体结构及半导体发光元件 [P].

王信介 ;

李玉柱 ;

吴俊德 ;

林京亮 ;

李允立 .

中国专利 :CN107833956B ,2018-03-23

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