单晶硅直径测量控制系统

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201020655151.8

申请日：

2010-12-13

公开(公告)号：

CN201952525U

公开(公告)日：

2011-08-31

发明(设计)人：

郭兵健徐一俊黄笑容万喜增陈功蒋委达

申请人：

申请人地址：

313100 浙江省湖州市长兴县县前东街1299号

IPC主分类号：

C30B1526

IPC分类号：

代理机构：

杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217

代理人：

胡根良

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101700973835 IPC(主分类):C30B 15/26 专利号:ZL2010206551518 申请日:20101213 授权公告日:20110831 终止日期:20151213
2014-10-08	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101705864437 IPC(主分类):C30B 15/26 专利号:ZL2010206551518 变更事项:专利权人变更前:浙江长兴众成电子有限公司变更后:浙江中晶科技股份有限公司变更事项:地址变更前:313100 浙江省湖州市长兴县县前东街1299号变更后:313100 浙江省湖州市长兴县县前东街1299号
2011-08-31	授权	授权

共 50 条

[1]

直拉锗单晶直径测量控制系统 [P].

赵逸群 ;

张二平 ;

贾钰超 ;

程海娟 ;

李洪兵 ;

姜杰 ;

陈骥 ;

刘建红 ;

莫文聪 ;

许红 .

中国专利 :CN102912429B ,2013-02-06

[2]

单晶硅区熔拉伸炉控制系统 [P].

李杰 ;

陆晓阳 .

中国专利 :CN102828233A ,2012-12-19

[3]

单晶硅区熔拉伸炉控制系统 [P].

李杰 ;

陆晓阳 .

中国专利 :CN202865389U ,2013-04-10

[4]

单晶硅直径控制法及其设备 [P].

川岛章洁 ;

佐藤晨夫 ;

大川登志男 .

中国专利 :CN1056138A ,1991-11-13

[5]

一种直拉单晶硅直径测量方法 [P].

孙玉梅 ;

李洪秀 ;

王红华 ;

苏凤 ;

董云云 .

中国专利 :CN104990510B ,2015-10-21

[6]

单晶硅生长氧含量控制技术 [P].

张俊宝 ;

宋洪伟 .

中国专利 :CN105506731A ,2016-04-20

[7]

一种单晶炉、单晶硅生长控制系统及方法 [P].

张志强 .

中国专利 :CN120465096A ,2025-08-12

[8]

一种单晶硅切割装置及控制系统 [P].

严循成 ;

王祥 ;

何迎辉 .

中国专利 :CN117532757A ,2024-02-09

[9]

单晶硅棒举升机 [P].

张勇 .

中国专利 :CN201785168U ,2011-04-06

[10]

单晶硅棒举升机 [P].

王兴华 .

中国专利 :CN201376867Y ,2010-01-06

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