一种半导体晶闸管性能测试装置

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专利类型
实用新型
申请号
CN201922116911.1
申请日
2019-12-02
公开(公告)号
CN210668280U
公开(公告)日
2020-06-02
发明(设计)人
张志平
申请人
申请人地址
441000 湖北省襄阳市高新区追日路9号汉北工业园1幢3楼
IPC主分类号
H01L2166
IPC分类号
H01L2167
代理机构
六安众信知识产权代理事务所(普通合伙) 34123
代理人
鲁晓瑞
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
一种半导体晶闸管性能测试装置 [P]. 
杨狄 .
中国专利 :CN213091804U ,2021-04-30
[2]
一种半导体光电性能测试装置 [P]. 
陈辰 ;
宋杰 ;
罗官 .
中国专利 :CN215526024U ,2022-01-14
[3]
一种半导体耐温性能测试装置 [P]. 
陈辰 ;
宋杰 ;
罗官 .
中国专利 :CN215525464U ,2022-01-14
[4]
半导体器件性能测试装置 [P]. 
刘宝成 .
中国专利 :CN202159118U ,2012-03-07
[5]
半导体材料性能测试装置 [P]. 
李东亚 .
中国专利 :CN118311095A ,2024-07-09
[6]
半导体材料性能测试装置 [P]. 
罗亚非 ;
张艳 .
中国专利 :CN220490974U ,2024-02-13
[7]
一种红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置 [P]. 
张东升 ;
任卫民 .
中国专利 :CN217954310U ,2022-12-02
[8]
一种半导体测试装置 [P]. 
杨加国 ;
方鹏 .
中国专利 :CN214278259U ,2021-09-24
[9]
一种半导体光电性能测试装置 [P]. 
郑英祥 .
中国专利 :CN218241773U ,2023-01-06
[10]
一种半导体材料性能测试装置 [P]. 
王永恒 ;
顾在意 ;
张翼飞 ;
王卿璞 .
中国专利 :CN222299421U ,2025-01-03