一种半导体光电性能测试装置

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202121861766.0
申请日
2021-08-10
公开(公告)号
CN215526024U
公开(公告)日
2022-01-14
发明(设计)人
陈辰 宋杰 罗官
申请人
申请人地址
277800 山东省枣庄市高新区复元三路智能制造小镇五号楼
IPC主分类号
G01R3126
IPC分类号
代理机构
济南尚本知识产权代理事务所(普通合伙) 37307
代理人
董洁
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种半导体光电性能测试装置 [P]. 
郑英祥 .
中国专利 :CN218241773U ,2023-01-06
[2]
一种半导体晶闸管性能测试装置 [P]. 
张志平 .
中国专利 :CN210668280U ,2020-06-02
[3]
一种半导体晶闸管性能测试装置 [P]. 
杨狄 .
中国专利 :CN213091804U ,2021-04-30
[4]
一种半导体材料性能测试装置 [P]. 
王永恒 ;
顾在意 ;
张翼飞 ;
王卿璞 .
中国专利 :CN222299421U ,2025-01-03
[5]
一种半导体耐温性能测试装置 [P]. 
陈辰 ;
宋杰 ;
罗官 .
中国专利 :CN215525464U ,2022-01-14
[6]
半导体器件性能测试装置 [P]. 
刘宝成 .
中国专利 :CN202159118U ,2012-03-07
[7]
半导体材料性能测试装置 [P]. 
李东亚 .
中国专利 :CN118311095A ,2024-07-09
[8]
半导体材料性能测试装置 [P]. 
罗亚非 ;
张艳 .
中国专利 :CN220490974U ,2024-02-13
[9]
一种红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置 [P]. 
张东升 ;
任卫民 .
中国专利 :CN217954310U ,2022-12-02
[10]
一种半导体测试装置 [P]. 
高军 ;
刘辉 ;
邹振扬 ;
杨文斌 .
中国专利 :CN221446231U ,2024-07-30