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一种红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置
被引：0
申请号：
CN202222245064.0
申请日：
2022-08-25
公开(公告)号：
CN217954310U
公开(公告)日：
2022-12-02
发明(设计)人：
张东升
任卫民
申请人：
申请人地址：
464000 河南省信阳市浉河区金牛物流产业集聚区金工大道智能产业园2号、4号厂房
IPC主分类号：
G01N2500
IPC分类号：
G01N2184
代理机构：
郑州宏海知识产权代理事务所(普通合伙) 41184
代理人：
赵白
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-12-02 | 授权 | 授权 |