一种红外半导体晶体膜寿命测试装置

被引：0

申请号：

CN202221983960.0

申请日：

2022-07-29

公开(公告)号：

CN217931316U

公开(公告)日：

2022-11-29

发明(设计)人：

张东升任卫民

申请人：

申请人地址：

464000 河南省信阳市浉河区金牛物流产业集聚区金工大道智能产业园2号、4号厂房

IPC主分类号：

G01N1700

IPC分类号：

G01N2500

代理机构：

郑州宏海知识产权代理事务所(普通合伙) 41184

代理人：

杨翱翔

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-29	授权	授权

共 50 条

[1]

一种红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置 [P].

张东升 ;

任卫民 .

中国专利 :CN217954310U ,2022-12-02

[2]

一种红外半导体晶体膜发热性能测试装置 [P].

张东升 ;

任卫民 .

中国专利 :CN217786969U ,2022-11-11

[3]

一种红外半导体晶体膜抗水垢测试装置 [P].

张东升 ;

任卫民 .

中国专利 :CN218157817U ,2022-12-27

[4]

一种红外半导体晶体膜水汽腐蚀测试装置 [P].

张东升 ;

任卫民 .

中国专利 :CN218157474U ,2022-12-27

[5]

一种红外半导体晶体膜变温工况抗拉性能测试装置 [P].

张东升 ;

任卫民 .

中国专利 :CN218157342U ,2022-12-27

[6]

一种红外半导体晶体膜镀膜装置 [P].

任卫民 ;

张东升 ;

杨勇 ;

白雨晴 .

中国专利 :CN220919682U ,2024-05-10

[7]

半导体材料少子寿命测试装置 [P].

魏博 ;

周诗丽 .

中国专利 :CN205176210U ,2016-04-20

[8]

一种半导体测试装置 [P].

高军 ;

刘辉 ;

邹振扬 ;

杨文斌 .

中国专利 :CN221446231U ,2024-07-30

[9]

一种半导体测试装置 [P].

周悦贤 ;

高乾 ;

庄磊 .

中国专利 :CN222926815U ,2025-05-30

[10]

一种红外半导体电热膜耐高温测试装置 [P].

任卫民 ;

张东升 ;

杨勇 ;

张秋平 ;

白雨晴 .

中国专利 :CN221224628U ,2024-06-25

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