一种红外半导体晶体膜水汽腐蚀测试装置

被引:0
申请号
CN202222323079.4
申请日
2022-09-01
公开(公告)号
CN218157474U
公开(公告)日
2022-12-27
发明(设计)人
张东升 任卫民
申请人
申请人地址
464000 河南省信阳市浉河区金牛物流产业集聚区金工大道智能产业园2号、4号厂房
IPC主分类号
G01N1700
IPC分类号
代理机构
郑州宏海知识产权代理事务所(普通合伙) 41184
代理人
赵白
法律状态
授权
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种红外半导体晶体膜寿命测试装置 [P]. 
张东升 ;
任卫民 .
中国专利 :CN217931316U ,2022-11-29
[2]
一种红外半导体晶体膜抗水垢测试装置 [P]. 
张东升 ;
任卫民 .
中国专利 :CN218157817U ,2022-12-27
[3]
一种红外半导体晶体膜发热性能测试装置 [P]. 
张东升 ;
任卫民 .
中国专利 :CN217786969U ,2022-11-11
[4]
一种红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置 [P]. 
张东升 ;
任卫民 .
中国专利 :CN217954310U ,2022-12-02
[5]
一种红外半导体晶体膜变温工况抗拉性能测试装置 [P]. 
张东升 ;
任卫民 .
中国专利 :CN218157342U ,2022-12-27
[6]
一种红外半导体晶体膜镀膜装置 [P]. 
任卫民 ;
张东升 ;
杨勇 ;
白雨晴 .
中国专利 :CN220919682U ,2024-05-10
[7]
一种红外半导体电热膜耐高温测试装置 [P]. 
任卫民 ;
张东升 ;
杨勇 ;
张秋平 ;
白雨晴 .
中国专利 :CN221224628U ,2024-06-25
[8]
一种红外半导体晶体膜镀膜装置及方法 [P]. 
任卫民 ;
杨勇 ;
郭义 ;
陈辉 ;
张慧兰 ;
白雨晴 ;
林贞珊 .
中国专利 :CN118594845A ,2024-09-06
[9]
半导体测试装置 [P]. 
田剑彪 ;
廖孚泉 .
中国专利 :CN115565928A ,2023-01-03
[10]
半导体测试装置 [P]. 
何欢欢 ;
王波 ;
朱凯 ;
祝晓钊 ;
冯敏强 ;
廖良生 .
中国专利 :CN212301756U ,2021-01-05