一种红外半导体晶体膜镀膜装置及方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411053951.5
申请日
2024-08-02
公开(公告)号
CN118594845A
公开(公告)日
2024-09-06
发明(设计)人
任卫民 杨勇 郭义 陈辉 张慧兰 白雨晴 林贞珊
申请人
信阳星原智能科技有限公司
申请人地址
464001 河南省信阳市羊山新区新申街道金工大道智能产业园2号、4号厂房
IPC主分类号
B05B16/20
IPC分类号
B05B13/02 B05B13/04 B05C11/02 B05D3/02 B05D1/02 B23C5/00
代理机构
洛阳市凯旋专利事务所(普通合伙) 41112
代理人
林志坚
法律状态
公开
国省代码
河北省 唐山市
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共 50 条
[1]
一种红外半导体晶体膜镀膜装置 [P]. 
任卫民 ;
张东升 ;
杨勇 ;
白雨晴 .
中国专利 :CN220919682U ,2024-05-10
[2]
一种红外半导体晶体膜寿命测试装置 [P]. 
张东升 ;
任卫民 .
中国专利 :CN217931316U ,2022-11-29
[3]
一种半导体材料镀膜装置及其镀膜方法 [P]. 
姚尹斌 ;
周根华 ;
彭俭平 ;
刘秀秀 ;
向清志 .
中国专利 :CN118737942A ,2024-10-01
[4]
一种红外半导体晶体膜在线生产抽检取样装置 [P]. 
张东升 ;
任卫民 .
中国专利 :CN217953930U ,2022-12-02
[5]
一种红外半导体晶体膜水汽腐蚀测试装置 [P]. 
张东升 ;
任卫民 .
中国专利 :CN218157474U ,2022-12-27
[6]
一种红外半导体晶体膜抗水垢测试装置 [P]. 
张东升 ;
任卫民 .
中国专利 :CN218157817U ,2022-12-27
[7]
一种红外半导体晶体膜热效能检测设备 [P]. 
张东升 ;
任卫民 .
中国专利 :CN218003304U ,2022-12-09
[8]
一种红外半导体晶体膜生产用成型设备 [P]. 
任卫民 ;
张东升 ;
杨勇 ;
肖利娜 ;
林贞珊 .
中国专利 :CN220829948U ,2024-04-23
[9]
一种红外半导体晶体膜发热性能测试装置 [P]. 
张东升 ;
任卫民 .
中国专利 :CN217786969U ,2022-11-11
[10]
一种红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置 [P]. 
张东升 ;
任卫民 .
中国专利 :CN217954310U ,2022-12-02