陶瓷基板及其制造方法、复合基板及其制造方法以及电路基板及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202080051787.8
申请日
2020-07-29
公开(公告)号
CN114127918A
公开(公告)日
2022-03-01
发明(设计)人
汤浅晃正 小桥圣治 西村浩二
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L2314
IPC分类号
H01L2315 H01L23498 H01L23544 H01L2148
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
杨宏军
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
复合基板及其制造方法、以及电路基板及其制造方法 [P]. 
酒井笃士 ;
弓场优也 ;
中山贤太郎 ;
谷口佳孝 .
中国专利 :CN114729440A ,2022-07-08
[2]
复合基板及其制造方法、以及电路基板及其制造方法 [P]. 
酒井笃士 ;
弓场优也 ;
中山贤太郎 ;
谷口佳孝 .
日本专利 :CN114729440B ,2024-06-11
[3]
陶瓷基板、复合基板及电路基板以及陶瓷基板的制造方法、复合基板的制造方法、电路基板的制造方法及多个电路基板的制造方法 [P]. 
津川优太 ;
西村浩二 ;
小桥圣治 ;
江嶋善幸 ;
汤浅晃正 .
中国专利 :CN114830837A ,2022-07-29
[4]
陶瓷基板、复合基板及电路基板以及陶瓷基板的制造方法、复合基板的制造方法、电路基板的制造方法及多个电路基板的制造方法 [P]. 
津川优太 ;
西村浩二 ;
小桥圣治 ;
江嶋善幸 ;
汤浅晃正 .
中国专利 :CN114667806A ,2022-06-24
[5]
陶瓷基板、复合基板及电路基板以及陶瓷基板的制造方法、复合基板的制造方法、电路基板的制造方法及多个电路基板的制造方法 [P]. 
津川优太 ;
西村浩二 ;
小桥圣治 ;
江嶋善幸 ;
汤浅晃正 .
日本专利 :CN114667806B ,2024-04-02
[6]
陶瓷基板、复合基板及电路基板以及陶瓷基板的制造方法、复合基板的制造方法、电路基板的制造方法及多个电路基板的制造方法 [P]. 
津川优太 ;
西村浩二 ;
小桥圣治 ;
江嶋善幸 ;
汤浅晃正 .
日本专利 :CN114830837B ,2024-04-02
[7]
陶瓷电路基板及其制造方法 [P]. 
青野良太 ;
汤浅晃正 ;
宫川健志 .
中国专利 :CN106537580B ,2017-03-22
[8]
陶瓷电路基板及其制造方法 [P]. 
汤浅晃正 ;
原田祐作 ;
中村贵裕 ;
森田周平 ;
西村浩二 .
中国专利 :CN110945974A ,2020-03-31
[9]
陶瓷基板、电路基板及其制造方法、以及功率模块 [P]. 
山县利贵 ;
森和久 ;
小宫胜博 .
中国专利 :CN114097075A ,2022-02-25
[10]
陶瓷基板、电路基板及其制造方法、以及功率模块 [P]. 
山县利贵 ;
森和久 ;
小宫胜博 .
日本专利 :CN114097075B ,2025-12-30