一种硅通孔金属互联线电迁移测试结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120402902.X

申请日：

2011-10-21

公开(公告)号：

CN202275826U

公开(公告)日：

2012-06-13

发明(设计)人：

刘胜汪学方吕植成袁娇娇宋斌杨亮

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L23544

IPC分类号：

G01R3126

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

李智

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-06-13	授权	授权
2013-12-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101550528947 IPC(主分类):H01L 23/544 专利号:ZL201120402902X 申请日:20111021 授权公告日:20120613 终止日期:20121021

共 50 条

[1]

一种硅通孔金属互联线电迁移测试结构 [P].

刘胜 ;

汪学方 ;

吕植成 ;

袁娇娇 ;

宋斌 ;

杨亮 .

中国专利 :CN102386169A ,2012-03-21

[2]

一种硅通孔的电迁移测试结构 [P].

陈芳 .

中国专利 :CN205376516U ,2016-07-06

[3]

一种硅通孔的电迁移测试结构 [P].

陈芳 .

中国专利 :CN205542717U ,2016-08-31

[4]

硅通孔测试结构 [P].

吕勇 ;

王笃林 .

中国专利 :CN203631539U ,2014-06-04

[5]

硅通孔金属柱背面互联结构 [P].

丁万春 .

中国专利 :CN204216025U ,2015-03-18

[6]

硅通孔金属柱背面互联结构 [P].

丁万春 .

中国专利 :CN204216037U ,2015-03-18

[7]

一种铜填充硅通孔电迁移测试结构制备方法及测试方法 [P].

邢朝洋 ;

赵雪薇 ;

李男男 ;

朱政强 ;

孙鹏 .

中国专利 :CN112255526A ,2021-01-22

[8]

硅通孔互联结构以及硅通孔射频传输结构 [P].

何舒玮 ;

童伟 ;

陈依军 ;

胡柳林 ;

吕继平 ;

王栋 ;

唐仲俊 .

中国专利 :CN207474457U ,2018-06-08

[9]

一种电迁移测试结构 [P].

王志强 ;

李宁曦 ;

韩坤 .

中国专利 :CN210743940U ,2020-06-12

[10]

一种电迁移测试结构 [P].

陈芳 .

中国专利 :CN205376473U ,2016-07-06

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