共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
一种铜填充硅通孔电迁移测试结构制备方法及测试方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010942379.3
申请日：
2020-09-09
公开(公告)号：
CN112255526A
公开(公告)日：
2021-01-22
发明(设计)人：
邢朝洋
赵雪薇
李男男
朱政强
孙鹏
申请人：
申请人地址：
100854 北京市海淀区北京142信箱403分箱
IPC主分类号：
G01R3128
IPC分类号：
H01L23544
代理机构：
中国航天科技专利中心 11009
代理人：
徐晓艳
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-02-09 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/28 申请日:20200909 |
| 2021-01-22 | 公开 | 公开 |