一种硅通孔的电迁移测试结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620066266.0

申请日：

2016-01-22

公开(公告)号：

CN205542717U

公开(公告)日：

2016-08-31

发明(设计)人：

陈芳

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-31	授权	授权

共 50 条

[1]

一种硅通孔的电迁移测试结构 [P].

陈芳 .

中国专利 :CN205376516U ,2016-07-06

[2]

一种硅通孔金属互联线电迁移测试结构 [P].

刘胜 ;

汪学方 ;

吕植成 ;

袁娇娇 ;

宋斌 ;

杨亮 .

中国专利 :CN202275826U ,2012-06-13

[3]

一种硅通孔金属互联线电迁移测试结构 [P].

刘胜 ;

汪学方 ;

吕植成 ;

袁娇娇 ;

宋斌 ;

杨亮 .

中国专利 :CN102386169A ,2012-03-21

[4]

一种电迁移测试结构 [P].

陈芳 .

中国专利 :CN205376473U ,2016-07-06

[5]

一种电迁移测试结构 [P].

陈芳 .

中国专利 :CN205376515U ,2016-07-06

[6]

硅通孔测试结构 [P].

吕勇 ;

王笃林 .

中国专利 :CN203631539U ,2014-06-04

[7]

一种铜填充硅通孔电迁移测试结构制备方法及测试方法 [P].

邢朝洋 ;

赵雪薇 ;

李男男 ;

朱政强 ;

孙鹏 .

中国专利 :CN112255526A ,2021-01-22

[8]

多晶硅电迁移测试结构 [P].

王志强 .

中国专利 :CN216670175U ,2022-06-03

[9]

一种硅通孔的测试结构 [P].

包小燕 ;

葛洪涛 .

中国专利 :CN104752406A ,2015-07-01

[10]

一种硅通孔结构 [P].

汪学方 ;

王宇哲 ;

徐明海 .

中国专利 :CN202332839U ,2012-07-11

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