全数字高功率单极脉冲磁控溅射电源

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201220111912.2
申请日
2012-03-16
公开(公告)号
CN203096159U
公开(公告)日
2013-07-31
发明(设计)人
魏殿忠 魏智博
申请人
申请人地址
730010 甘肃省兰州市城关区雁西路1376号雁滩工业城北5区10栋
IPC主分类号
C23C1435
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
专利权的终止
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共 50 条
[1]
一种全数字式高功率单极脉冲磁控溅射电源 [P]. 
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[2]
高功率脉冲磁控溅射电源 [P]. 
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[3]
一种CrSiCN膜用高功率单极脉冲磁控溅射电源 [P]. 
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[4]
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[5]
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[6]
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[7]
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[8]
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[9]
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[10]
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