半导体器件的制造装置及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99801585.7

申请日：

1999-09-13

公开(公告)号：

CN1277735A

公开(公告)日：

2000-12-20

发明(设计)人：

能泽克弥久保实斋藤彻高木刚

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-10-31	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-07-21	授权	授权
2000-12-20	公开	公开
2008-11-12	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置 [P].

早水勋 ;

立柳昌哉 .

中国专利 :CN101471537B ,2009-07-01

[2]

半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置 [P].

李文超 ;

林政纬 ;

杨智强 ;

贾涛 .

中国专利 :CN119965137A ,2025-05-09

[3]

半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置 [P].

李文超 ;

林政纬 ;

杨智强 ;

贾涛 .

中国专利 :CN119965137B ,2025-07-22

[4]

半导体器件的制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

中村理 ;

伊藤恭介 .

中国专利 :CN101013674A ,2007-08-08

[5]

半导体器件的制造方法及制造装置 [P].

松井弘之 ;

牧野豊 ;

芥川泰人 .

中国专利 :CN101512741A ,2009-08-19

[6]

半导体器件的制造装置及制造方法 [P].

芝田元二郎 ;

牛岛彰 .

中国专利 :CN101266920A ,2008-09-17

[7]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

高野晴之 ;

牧浩 .

中国专利 :CN109671646A ,2019-04-23

[8]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

甲斐丈靖 ;

马场裕之 .

中国专利 :CN101445919B ,2009-06-03

[9]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

横森刚 ;

名久井勇辉 .

中国专利 :CN108346585A ,2018-07-31

[10]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

名久井勇辉 ;

冈本直树 ;

齐藤明 ;

横森刚 ;

二宫勇 .

中国专利 :CN108400096A ,2018-08-14

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