深沟槽刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010563591.5

申请日：

2010-11-29

公开(公告)号：

CN102479676A

公开(公告)日：

2012-05-30

发明(设计)人：

姚嫦娲杨华刘鹏陈东强

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21306

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101293922654 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2010105635915 申请日:20101129
2012-05-30	公开	公开
2014-04-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700355531 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2010105635915 申请公布日:20120530

共 50 条

[41]

一种解决深沟槽刻蚀工艺中圆片表面糊胶的刻蚀方法 [P].

章安娜 ;

李晓明 .

中国专利 :CN103107080B ,2013-05-15

[42]

刻蚀沟槽多晶硅栅的方法 [P].

金勤海 ;

周颖 ;

康志潇 .

中国专利 :CN103094087B ,2013-05-08

[43]

深沟槽顶部圆角的形成方法 [P].

吴智勇 ;

斯海国 .

中国专利 :CN104576340A ,2015-04-29

[44]

沟槽刻蚀方法以及半导体器件 [P].

沈思杰 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN102361007A ,2012-02-22

[45]

减少深沟槽结构缺陷源的方法 [P].

郑书红 ;

高宏 .

中国专利 :CN118748145A ,2024-10-08

[46]

一种改善形貌的深沟槽制造方法及深沟槽 [P].

李昊 .

中国专利 :CN104658914B ,2015-05-27

[47]

一种多晶硅沟槽回刻蚀方法 [P].

冯大贵 ;

吴长明 .

中国专利 :CN103377904A ,2013-10-30

[48]

金属沟槽的刻蚀方法 [P].

黄君 ;

李全波 ;

崇二敏 .

中国专利 :CN103531534B ,2014-01-22

[49]

深沟槽电容及制备方法 [P].

孙孝翔 ;

遇寒 ;

刘立成 .

中国专利 :CN121218612A ,2025-12-26

[50]

深沟槽电容的制造方法 [P].

孙孝翔 ;

刘立成 .

中国专利 :CN121126795A ,2025-12-12

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