用于导电型碳化硅晶片的电流加热装置

被引：0

申请号：

CN202210549425.2

申请日：

2022-05-20

公开(公告)号：

CN114808142A

公开(公告)日：

2022-07-29

发明(设计)人：

丁雄傑韩景瑞刘薇邹雄辉李锡光

申请人：

申请人地址：

523000 广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼

IPC主分类号：

C30B3302

IPC分类号：

C30B2502 C30B2936

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

陈进芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	公开	公开
2022-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 33/02 申请日:20220520

共 50 条

[1]

用于导电型碳化硅晶片的电流加热装置 [P].

丁雄傑 ;

韩景瑞 ;

刘薇 ;

邹雄辉 ;

李锡光 .

中国专利 :CN114808142B ,2025-07-04

[2]

用于导电型碳化硅晶片的电流加热装置 [P].

丁雄傑 ;

韩景瑞 ;

刘薇 ;

邹雄辉 ;

李锡光 .

中国专利 :CN217922436U ,2022-11-29

[3]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746324B ,2024-04-30

[4]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746324A ,2021-05-04

[5]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746317A ,2021-05-04

[6]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[7]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746317B ,2024-05-31

[8]

碳化硅晶片以及使用了该碳化硅晶片的碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118263285A ,2024-06-28

[9]

碳化硅晶锭、碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制造方法 [P].

堂本千秋 ;

正木克明 ;

柴田和也 ;

山口恵彥 ;

上山大辅 .

中国专利 :CN105940149A ,2016-09-14

[10]

一种用于导电型碳化硅晶片的应力检测装置 [P].

顾跃 ;

黄晓升 .

中国专利 :CN218180159U ,2022-12-30

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